[發(fā)明專利]太鼓晶圓去環(huán)方法及太鼓晶圓去環(huán)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210206280.6 | 申請日: | 2022-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN114582780B | 公開(公告)日: | 2022-12-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高陽;葛凡;周鑫;張寧寧;蔡國慶 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01L21/304;B28D5/00 |
| 代理公司: | 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 顧祥安 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太鼓晶圓去環(huán) 方法 裝置 | ||
1.太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:在去環(huán)機(jī)械手的每個夾頭向太鼓環(huán)進(jìn)給進(jìn)行抓取時,包括如下過程:
實時檢測每個夾頭伸入到所述太鼓環(huán)下方的伸入量;
將實時檢測的每個夾頭的伸入量與設(shè)定閾值進(jìn)行比較;
根據(jù)比較結(jié)果來控制驅(qū)動每個夾頭向太鼓環(huán)方向進(jìn)給的進(jìn)給驅(qū)動機(jī)構(gòu)以使每個夾頭移動至目標(biāo)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:每個所述夾頭上設(shè)置有用于檢測所述伸入量的傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:在所述夾頭向所述太鼓環(huán)方向進(jìn)給時,每個所述夾頭先以第一速度進(jìn)給,至所述傳感器檢測到所述太鼓環(huán)的外邊緣后,所述夾頭以第二速度繼續(xù)進(jìn)給,至到達(dá)目標(biāo)位置,所述第二速度小于所述第一速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:所述夾頭為工字輪,所述工字輪的軸線與所述太鼓環(huán)的軸線平行,所述傳感器設(shè)置在所述工字輪的上端盤上且其感應(yīng)范圍朝向所述工字輪的下端盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:所述傳感器的感應(yīng)范圍由所述下端盤的外邊緣向下端盤的中心延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:所述工字輪連接驅(qū)動其向所述太鼓環(huán)方向進(jìn)給的進(jìn)給驅(qū)動機(jī)構(gòu),所述進(jìn)給驅(qū)動機(jī)構(gòu)設(shè)置在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上,所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)驅(qū)動所述夾頭沿固定在工作臺上的所述太鼓環(huán)的外邊緣公轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:所述傳感器通過滑環(huán)供電及與控制裝置進(jìn)行通信。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太鼓晶圓去環(huán)方法,其特征在于:所述夾頭在移動到目標(biāo)位置后,繞所述太鼓環(huán)公轉(zhuǎn)預(yù)定行程,在所述夾頭公轉(zhuǎn)過程中,實時調(diào)整所述夾頭的伸入量至目標(biāo)位置。
9.太鼓晶圓去環(huán)裝置,包括去環(huán)機(jī)械手,其特征在于:所述去環(huán)機(jī)械手的每個夾頭上設(shè)置有用于檢測所述夾頭伸入到太鼓環(huán)下方的伸入量的傳感器,所述傳感器連接控制裝置,所述控制裝置根據(jù)所述傳感器的信號來控制進(jìn)給驅(qū)動機(jī)構(gòu)以使由每個進(jìn)給驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動的所述夾頭移動至目標(biāo)位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





