[發(fā)明專利]一種陣列基板及顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210204805.2 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114695384A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許作遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李鎮(zhèn)江 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 | ||
本發(fā)明涉及一種陣列基板及顯示面板,所述陣列基板包括扇出區(qū),所述扇出區(qū)設(shè)置多條扇出走線;顯示區(qū),所述顯示區(qū)設(shè)置多條信號(hào)走線,所述多條信號(hào)走線與所述多條扇出走線一一對(duì)應(yīng)連接;其中,所述顯示區(qū)包括中心區(qū)以及非中心區(qū),位于所述中心區(qū)內(nèi)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距大于位于所述非中心區(qū)內(nèi)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距。本發(fā)明在陣列基板走線空間有限且顯示區(qū)的走線較多的情況下,通過(guò)調(diào)整信號(hào)走線之間的間距,從而降低陣列基板在制程或者使用過(guò)程中因各信號(hào)走線之間的間距一定而造成的短路現(xiàn)象,有效解決顯示畫(huà)面異常、顯示畫(huà)面分屏等不良問(wèn)題的出現(xiàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù)
在顯示面板中,顯示區(qū)(Active Area,AA區(qū))內(nèi)的像素單元以矩陣陣列的形式排布在陣列基板上,位于非顯示區(qū)的驅(qū)動(dòng)集成電路(IntegratedCircuit,驅(qū)動(dòng)IC)的信號(hào)輸出端通過(guò)信號(hào)線向顯示區(qū)內(nèi)的像素單元傳輸電壓。由于驅(qū)動(dòng)集成電路包括若干信號(hào)輸出端,每個(gè)信號(hào)輸出端需通過(guò)導(dǎo)線與顯示區(qū)內(nèi)的信號(hào)線連接,從而若干導(dǎo)線在非顯示區(qū)呈扇形排布,為此,將若干導(dǎo)線在非顯示區(qū)呈扇形排布的區(qū)域稱為扇出區(qū)(Fanout區(qū))。然而,位于扇出區(qū)左右兩側(cè)的導(dǎo)線長(zhǎng)度會(huì)大于位于扇出區(qū)中部的導(dǎo)線長(zhǎng)度,故扇出區(qū)兩側(cè)導(dǎo)線的阻抗相較于扇出區(qū)中部的阻抗大,造成各導(dǎo)線的阻容延遲程度不一樣,進(jìn)而各個(gè)像素單元寫(xiě)入電壓的充電時(shí)間不一致,以至于在相等的充電時(shí)間里,每個(gè)像素單元被寫(xiě)入的電壓不一致,從而導(dǎo)致顯示畫(huà)面產(chǎn)生色偏。
另一方面,無(wú)論是在顯示區(qū)還是在扇出區(qū),線路越密集,導(dǎo)線以及信號(hào)線的走線空間就越小,進(jìn)一步導(dǎo)致導(dǎo)線或者信號(hào)線發(fā)生短路,從而造成顯示畫(huà)面異常、顯示畫(huà)面分屏等畫(huà)質(zhì)不良。
故,有必要提出一種新的技術(shù)方案,以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
基于上述原因,本發(fā)明的目的為提供一種保證顯示畫(huà)面品質(zhì)的陣列基板。
本發(fā)明提供一種陣列基板,其包括:
扇出區(qū),所述扇出區(qū)設(shè)置多條扇出走線;
顯示區(qū),所述顯示區(qū)設(shè)置多條信號(hào)走線,所述多條信號(hào)走線與所述多條扇出走線一一對(duì)應(yīng)連接;
其中,所述顯示區(qū)包括中心區(qū)以及非中心區(qū),位于所述中心區(qū)內(nèi)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距大于位于所述非中心區(qū)內(nèi)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校挥谒鲋行膮^(qū)內(nèi)的所述信號(hào)走線的線寬小于位于所述非中心區(qū)內(nèi)的所述信號(hào)走線的線寬。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校谒龇侵行膮^(qū)內(nèi),靠近所述中心區(qū)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距大于遠(yuǎn)離所述中心區(qū)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校谒龇侵行膮^(qū)內(nèi),靠近所述中心區(qū)的信號(hào)走線的線寬小于遠(yuǎn)離所述中心區(qū)的信號(hào)走線的線寬。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校鲋行膮^(qū)內(nèi)的相鄰兩條所述信號(hào)走線之間的間距沿著所述中心區(qū)的中心至所述中心區(qū)兩側(cè)的方向減小。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校鲋行膮^(qū)內(nèi)的所述信號(hào)走線的線寬沿著所述中心區(qū)的中心至所述中心區(qū)兩側(cè)的方向增大。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校鄺l所述信號(hào)走線包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線以及多條觸控信號(hào)線;其中,所述數(shù)據(jù)信號(hào)線與所述觸控信號(hào)線交替設(shè)置于所述顯示區(qū)。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校鄺l所述數(shù)據(jù)信號(hào)線以及多條觸控信號(hào)線同層設(shè)置。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校c所述中心區(qū)內(nèi)的所述信號(hào)走線連接的所述扇出走線的線寬小于與所述非中心區(qū)內(nèi)的所述信號(hào)走線連接的所述扇出走線的線寬。
在本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯校錾瘸鲎呔€的線寬沿所述扇出區(qū)的中心向所述扇出區(qū)的兩側(cè)方向依次呈等差數(shù)列關(guān)系或者呈等比數(shù)列關(guān)系遞增。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





