[發明專利]半導體腔室的承載裝置及半導體腔室

在審

• 申請號: 202210202662.1
• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN114695243A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王福來
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種半導體腔室的承載裝置及半導體腔室，承載裝置包括加熱器、多個承載臺、頂升機構和工位轉換機構；加熱器具有沿其周向間隔分布的多個容納槽；每個承載臺設置于加熱器的一個容納槽內，承載臺用于承載晶圓；頂升機構位于加熱器的下方，頂升機構的頂針依次穿過第一通孔和第二通孔，頂升機構用于驅動晶圓升降；工位轉換機構用于晶圓在多個承載臺之間傳輸，工位轉換機構包括驅動件和多個環形叉指，多個環形叉指沿驅動件的周向間隔分布，環形叉指用于承載所述晶圓，驅動件驅動多個環形叉指轉動和升降，每個環形叉指位于其中一個容納槽時，環形叉指環繞承載臺。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體腔室的承載裝置及半導體腔室。

背景技術

半導體腔室在取放片工藝時，有單次取放片和多站流動式取放片兩種模式。為了提高半導體腔室的加工效率，通常會采用多站流動式取放片模式。

針對多站流動式取放片模式，目前較為普遍使用的流程為：如圖1所示，機械手將晶圓傳輸至半導體腔室內，半導體腔室內設置有加熱器700，加熱器700上設置有叉指機構800，叉指機構800能夠接住機械手上的晶圓，并將晶圓轉載在加熱器700上。另外，叉指機構800還能夠旋轉，將晶圓傳輸至加熱器700的下一個工位上。

相關技術中，如2圖所示，叉指機構800的叉指由相平行的兩個支撐桿組成，兩個支撐桿支撐晶圓底部，加熱器700上設置有用于容納叉指的凹槽，當晶圓落下時，叉指位于凹槽內。

然而由于叉指位于晶圓正下方，其位置穿過晶圓大部分區域，在工藝過程中，由于叉指與加熱器材質不同，因此加熱器上叉指所處位置的電磁場與加熱器其他位置的電磁場不同，因此晶圓的電磁場的均勻性較差，從而造成晶圓的工藝性能較差。

發明內容

本發明公開一種半導體腔室的承載裝置及半導體腔室，以解決晶圓的工藝性能較差的問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

一種半導體腔室的承載裝置，包括：

加熱器，所述加熱器具有沿其周向間隔分布的多個容納槽，至少一個所述容納槽上開設有沿所述加熱器厚度方向貫穿的第一通孔；

多個承載臺，每個所述承載臺設置于所述加熱器的一個所述容納槽內，所述承載臺用于承載晶圓，至少一個所述承載臺設置有沿其厚度方向貫穿的第二通孔，所述第一通孔與所述第二通孔相對設置；

頂升機構，所述頂升機構位于所述加熱器的下方，所述頂升機構的頂針依次穿過第一通孔和第二通孔，所述頂升機構用于驅動所述晶圓升降；

工位轉換機構，所述工位轉換機構用于所述晶圓在多個所述承載臺之間傳輸，所述工位轉換機構包括驅動件和多個環形叉指，多個所述環形叉指沿所述驅動件的周向間隔分布，且與多個所述承載臺對應設置，所述環形叉指用于承載所述晶圓，所述驅動件驅動多個所述環形叉指轉動和升降，每個所述環形叉指位于其中一個所述容納槽時，所述環形叉指環繞所述承載臺。

一種半導體腔室，包括腔室本體和上述的承載裝置，所述承載裝置位于所述腔室本體內。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本發明公開的承載裝置中，承載臺用于承載晶圓，頂針機構用于實現晶圓的升降，工位轉換機構用于晶圓在多個承載臺之間傳輸。此方案中，工藝時，晶圓承載至承載臺上，每個環形叉指位于其中一個容納槽時，環形叉指環繞承載臺，此時叉指位于晶圓的邊緣區域，靠近晶圓中心的大部分區域均無環形叉指穿過，因此環形叉指對晶圓的電磁場影響較小。另外，環形叉指沿著晶圓的周向設置，晶圓周向分布的電磁場均勻性進一步提高。因此，本方案中晶圓電磁場的均勻性較好，提高了晶圓的工藝均勻性。

附圖說明