[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與其形成方法

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• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN114823524A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴韋仁;李威養(yǎng);陳德芳;施婷文
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括自一基板凸起的一鰭狀物，其中該鰭狀物包括在垂直方向中交錯(cuò)的多個(gè)第一半導(dǎo)體層與多個(gè)第二半導(dǎo)體層，且其中該些第一半導(dǎo)體層的材料組成不同于該些第二半導(dǎo)體層的材料組成；

使該鰭狀物凹陷，以形成一源極/漏極凹陷；

形成一源極/漏極結(jié)構(gòu)于該源極/漏極凹陷中；

修整該源極/漏極結(jié)構(gòu)；

沉積一介電層以覆蓋該源極/漏極結(jié)構(gòu)；

形成一接點(diǎn)孔于該介電層中，以露出該源極/漏極結(jié)構(gòu)的一部分；以及

沉積一金屬材料于該接點(diǎn)孔中，以形成一金屬接點(diǎn)著陸于該源極/漏極結(jié)構(gòu)上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中修整該源極/漏極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

處理該源極/漏極結(jié)構(gòu)的上表面以改變上表面的化學(xué)特性；以及

移除該源極/漏極結(jié)構(gòu)的處理的上表面。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中處理上表面的步驟采用等離子體氧化、等離子體氮化或上述的組合，使該源極/漏極結(jié)構(gòu)的上表面氧化、氮化或上述的組合。

4.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

交錯(cuò)堆疊多個(gè)第一半導(dǎo)體層與多個(gè)第二半導(dǎo)體層，以形成一半導(dǎo)體堆疊于一基板上，且該些第一半導(dǎo)體層與該些第二半導(dǎo)體層的材料組成不同；

圖案化該半導(dǎo)體堆疊以形成一鰭狀物；

形成一虛置柵極堆疊于該鰭狀物上；

形成一源極/漏極凹陷于該鰭狀物中以與該虛置柵極堆疊相鄰；

外延沉積一源極/漏極結(jié)構(gòu)于該源極/漏極凹陷中；

處理該源極/漏極結(jié)構(gòu)的頂部；

移除該源極/漏極結(jié)構(gòu)的處理的頂部，以形成一重塑的源極/漏極結(jié)構(gòu)；

沉積一層間介電層于該重塑的源極/漏極結(jié)構(gòu)上；

形成一接點(diǎn)孔于該層間介電層中，以露出該重塑的源極/漏極結(jié)構(gòu)；以及

形成一金屬插塞于該接點(diǎn)孔中，以接觸該重塑的源極/漏極結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該源極/漏極凹陷為一第一源極/漏極凹陷且該源極/漏極結(jié)構(gòu)為一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中方法還包括：

形成一第二源極/漏極凹陷于該鰭狀物中以與該虛置柵極堆疊相鄰；

形成一第二源極/漏極結(jié)構(gòu)于該第二源極/漏極凹陷中，其中該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的寬度大于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的寬度，且該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的高度小于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的高度；以及

在處理該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的頂部之前，以一遮罩單元覆蓋該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)，進(jìn)而避免處理該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中覆蓋該第二源極/漏極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

沉積該遮罩單元于該基板上；

圖案化該遮罩單元以露出該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)；以及

在移除該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的處理的頂部之后，移除圖案化的該遮罩單元。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中處理該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的頂部的步驟包括對該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的頂部進(jìn)行多個(gè)去耦等離子體處理工藝與多個(gè)蝕刻工藝，其中每一該些去耦等離子體處理工藝之后為每一該些蝕刻工藝，以移除該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)的去耦等離子體處理的頂部。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基板；

一鰭狀物，包括多個(gè)半導(dǎo)體層的一堆疊且位于該半導(dǎo)體基板上；

一源極/漏極結(jié)構(gòu)，與該鰭狀物相鄰，其中該源極/漏極結(jié)構(gòu)具有一弧形上表面，其中該弧形上表面的第一部分高于該鰭狀物的上表面，且其中該弧形上表面的第二部分低于該鰭狀物的上表面；以及

一源極/漏極接點(diǎn)，著陸于該源極/漏極結(jié)構(gòu)上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該源極/漏極結(jié)構(gòu)包括一第一層符合該源極/漏極接點(diǎn)的底部輪廓，以及一第二層位于該些半導(dǎo)體層的該堆疊的側(cè)壁上，其中該第二層與該第一層的組成不同。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

一金屬柵極堆疊，位于該些半導(dǎo)體層的該堆疊上并包覆該些半導(dǎo)體層的該堆疊；以及

一柵極間隔物，位于該金屬柵極堆疊的側(cè)壁上，其中該源極/漏極結(jié)構(gòu)未接觸該柵極間隔物。