[發(fā)明專利]一種用于SiCMOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊

在審

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• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114552956A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王來利;溫浚鐸;靳浩源;董曉博;李華清
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 房鑫

1.一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，包括驅(qū)動板，所述驅(qū)動板分為控制電路側(cè)(1)和主電路側(cè)(2)，控制電路側(cè)(1)和主電路側(cè)(2)之間開設(shè)有分隔槽(3)；

其中，所述控制電路側(cè)(1)遠離主電路側(cè)(2)的一端設(shè)有低壓信號輸入接口(4)，所述分隔槽(3)處置有驅(qū)動供電模塊和驅(qū)動芯片(7)，所述驅(qū)動供電模塊包括上管驅(qū)動供電模塊(5)和下管驅(qū)動供電模塊(6)，所述主電路側(cè)(2)上設(shè)置有驅(qū)動電阻(8)和驅(qū)動二極管(9)，主電路側(cè)(2)遠離控制電路側(cè)(1)的一端設(shè)有上管GS連接端(10)和下管GS連接端(11)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述驅(qū)動芯片(7)設(shè)置在上管驅(qū)動供電模塊(5)與下管驅(qū)動供電模塊(6)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述低壓信號輸入接口(4)連接有低壓信號輸入模塊，所述低壓信號輸入模塊采用排針母座模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述低壓信號輸入模塊包括6種信號的信號輸入端，分別為：

半橋SiC MOSFET上管PWM信號輸入端、半橋SiC MOSFET上下管PWM信號輸入端、2個地信號輸入端、使能信號輸入端以及輔助電源電壓信號輸入端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述驅(qū)動芯片(7)通過不同管腳分別與對應(yīng)的驅(qū)動供電模塊、上管GS連接端(10)和下管GS連接端(11)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述驅(qū)動供電模塊采用隔離供電模塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述驅(qū)動電阻(8)包括開通電阻和關(guān)斷電阻，其中，所述開通電阻的電阻值大于所述關(guān)斷電阻的電阻值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiC MOSFET的高集成化半橋驅(qū)動模塊，其特征在于，所述驅(qū)動二極管(9)選用穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管用于將驅(qū)動供電模塊提供的電壓分為用作驅(qū)動的負電壓和正電壓。