[發明專利]植球輔助載具及用于向芯片上的植球孔植入錫球的方法有效
| 申請號: | 202210199487.5 | 申請日: | 2022-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN114678281B | 公開(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發明(設計)人: | 張戰祥;倪衛華;鄭朝暉 | 申請(專利權)人: | 上海季豐電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京嘉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11687 | 代理人: | 張艷 |
| 地址: | 201100 上海市閔行*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助 用于 芯片 植球孔 植入 方法 | ||
1.一種植球輔助載具,用于向芯片上的植球孔植入錫球,其特征在于,所述植球輔助載具包括:
一個底座,所述底座上設有多個貫穿所述底座的通孔,其中,所述底座上的多個通孔分別與所述芯片上的植球孔對應,且所述通孔與所述植球孔為等比例放大關系;
多個定位樁,所述定位樁具有中空腔體且兩端為開口,所述定位樁兩端的開口與所述中空腔體均連通,所述定位樁一端上的開口與所述底座上的其中一個通孔對準并連接,各個所述定位樁另一端上的開口相互齊平且有間隔,并且各個所述定位樁另一端上的開口與所述芯片上的各個植球孔相對應;
所述定位樁的形狀為圓臺,開口開設在圓臺的兩個底面上,且圓臺中圓面積較大的一個底面與底座連接,圓面積較大的一個底面在上方,圓面積較小的一個底面在下方,從而形成一個漏斗結構。
2.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,所述芯片上的各個植球孔邊緣之間的間距為0.25-0.40毫米。
3.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,所述定位樁另一端上的開口為圓口,且所述定位樁的中空腔體的最小寬度大于所述圓口的直徑。
4.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,各個所述定位樁另一端上的開口的外側面之間的間隔距離小于0.40毫米。
5.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,所述底座和所述定位樁的材質均包括鋼材。
6.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,所述定位樁一端上的開口與所述底座上其中一個通孔的連接包括焊接或一體成型連接。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的植球輔助載具,其特征在于,所述底座的形狀為半球體,所述半球體包括一曲面和一平面,所述通孔的一端位于所述半球體的曲面上,所述通孔的另一端位于所述半球體的平面上,所述定位樁連接在所述半球體的平面上。
8.根據權利要求1所述的植球輔助載具,其特征在于,所述底座的形狀為平板。
9.根據權利要求8所述的植球輔助載具,其特征在于,所述定位樁的形狀為圓臺,所述開口開設在所述圓臺的兩個底面上,且所述圓臺中圓面積較大的一個底面與所述底座連接。
10.一種用于向芯片上的植球孔植入錫球的方法,其特征在于,包括:
將待植入錫球的芯片上有植球孔的一面朝上并水平固定;
將權利要求1-9所述的植球輔助載具中各個所述定位樁另一端上的開口與所述芯片上的各個植球孔一一對準,然后固定所述植球輔助載具;
將錫球放入所述底座上的通孔,使所述錫球通過所述通孔進入所述定位樁并沿所述中空腔體滑入所述定位樁另一端上開口對應的植球孔上;
對放置有錫球的芯片進行加熱,使錫球受熱熔化并固定在對應的植球孔內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





