[發明專利]低溫氧化/氮化處理提高釹鐵硼抗蝕性的方法在審
| 申請號： | 202210199160.8 | 申請日： | 2022-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN114566370A | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 嚴密;金佳瑩;陳望;吳琛 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京中睿智恒知識產權代理事務所(普通合伙) 16025 | 代理人： | 鄧大為 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西湖*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 氧化 氮化 處理 提高 釹鐵硼抗蝕性 方法 | ||
【權利要求書】：
1.低溫氧化/氮化處理提高釹鐵硼抗蝕性的方法，其特征在于：通過低溫氧化/氮化處理，在釹鐵硼磁體表面原位生長氧化物、氮化物或氮氧化物薄層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：在管式爐或氣氛爐中，抽真空至10-2～10-4Pa后，通入氣體，氣體為O2、N2、NH3或水蒸氣中的一種或幾種，流量為15～5000ml/min，低溫氧化/氮化的溫度控制在200～400℃，反應時間控制在0.5～24h。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述氧化物、所述氮化物或所述氮氧化物的薄層厚度在10nm～100μm間連續可調。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述釹鐵硼磁體的成分，以原子百分數計，為(REaRE’1-a)x(FebM1-b)100-x-y-zM’yBz，RE為除La、Ce、Y以外的其它鑭系元素中的一種或幾種，RE’為La、Ce、Y元素中的一種或幾種；Fe為鐵元素，M為Co或Ni中的一種或兩種；M’為Nb、Zr、Ta、V、Al、Cu、Ga、Ti、Cr、Mo、Mn、Ag、Au、Pb、Si元素中的一種或幾種，B為硼元素；a、b、x、y、z滿足以下關系：0.55≤a≤1、0.8≤b≤1、12≤x≤18、0≤y≤2、5.5≤z≤6.5。
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