[發明專利]基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法及器件

在審

• 申請號: 202210198731.6
• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN114566461A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 郭盼盼;向遙;閆未霞;彭挺
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

1.基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

在半導體器件正面進行刻蝕形成第一背孔；

在半導體器件正面涂覆保護層；

在半導體器件正面鍵合臨時襯底，并對半導體器件襯底進行減薄處理；

在半導體器件背面進行刻蝕直至暴露第一背孔，形成第二背孔，實現深背孔制作。

2.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述方法還包括：

在形成第一背孔后，在第一背孔中制備第一金屬層；

在半導體器件背面進行刻蝕直至暴露第一金屬層，形成第二背孔。

3.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述形成第二背孔后還包括：

在半導體器件背面制作背金工藝。

4.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半導體器件正面進行刻蝕形成第一背孔具體包括：

在半導體器件正面光刻形成第一背孔圖形；

基于第一背孔圖形在半導體器件正面進行刻蝕形成第一背孔。

5.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述第一背孔的深度為80～150μm。

6.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半導體器件正面進行刻蝕形成第一背孔前還包括：

制作半導體器件正面工藝；

在完成正面工藝的半導體器件正面涂覆光刻膠。

7.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述對半導體器件襯底進行減薄處理具體包括：

在保護層上涂布粘合劑，在高溫作用下與臨時襯底鍵合；

采用機械研磨法和/或化學拋光法減薄半導體器件基底。

8.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半導體器件背面進行刻蝕直至暴露第一背孔，形成第二背孔具體包括：

在完成減薄處理的半導體器件背面光刻形成第二背孔圖形；

基于第二背孔圖形在半導體器件背面進行刻蝕直至暴露第一背孔，形成第二背孔。

9.根據權利要求1所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法，其特征在于：所述第二背孔的深度為30～120μm。

10.一種半導體器件，其特征在于：所述半導體器件采用權利要求1-9任一項所述的基于正反面通孔的半導體器件深背孔制作方法制作深背孔。