[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210197859.0
• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN115835644A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 塩田倫也
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B43/27
• 分類號: H10B43/27;H10B43/30;H10B41/30;H10B41/27
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠增大半導(dǎo)體層內(nèi)的晶粒的粒徑的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。根據(jù)一實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具備襯底、及設(shè)置在所述襯底上且包含第1晶粒之第1半導(dǎo)體層。所述裝置還具備設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層的表面的第1膜。所述裝置還具備第2半導(dǎo)體層，該第2半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第1膜的表面，通過所述第1膜內(nèi)的開口部而設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層的表面，包含第2晶粒，且包含在存儲(chǔ)單元內(nèi)；且所述第2晶粒的粒徑大于所述開口部內(nèi)的所述第2半導(dǎo)體層的寬度的最大值。

[相關(guān)申請的交叉參考]

本申請享有以日本專利申請2021-152533號(申請日：2021年9月17日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參考該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，有時(shí)期望增大半導(dǎo)體層內(nèi)的晶粒的粒徑。該情況下，問題是如何形成這種半導(dǎo)體層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題在于，提供一種能夠增大半導(dǎo)體層內(nèi)的晶粒的粒徑的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)一實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具備襯底、及設(shè)置在所述襯底上且包含第1晶粒的第1半導(dǎo)體層。所述裝置還具備設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層的表面的第1膜。所述裝置還具備第2半導(dǎo)體層，該第2半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第1膜的表面，且通過所述第1膜內(nèi)的開口部而設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層的表面，包含第2晶粒，且包含在存儲(chǔ)單元內(nèi)；且所述第2晶粒的粒徑大于所述開口部內(nèi)的所述第2半導(dǎo)體層的寬度的最大值。

附圖說明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的放大剖視圖。

圖3～圖9是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖10是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

圖11是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖12是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

圖13是表示第1實(shí)施方式的變化例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖14是表示第1實(shí)施方式的變化例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

圖15是用來對第1實(shí)施方式的晶粒P的粒徑D進(jìn)行說明的剖視圖。

圖16是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參考附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1～圖16中，對于相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號，省略重復(fù)的說明。

(第1實(shí)施方式)

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖視圖。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備襯底1、層間絕緣膜2、源極層3、層間絕緣膜4、柵極層5、多個(gè)絕緣層6、多個(gè)電極層7、層間絕緣膜8、多個(gè)存儲(chǔ)器絕緣膜11、多個(gè)通道半導(dǎo)體層12、及多個(gè)狹縫絕緣膜13。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置例如為三維存儲(chǔ)器。源極層3為第1半導(dǎo)體層的例子，存儲(chǔ)器絕緣膜11為第1膜的例子，通道半導(dǎo)體層12為第2半導(dǎo)體層的例子。

襯底1例如為Si(硅)襯底等半導(dǎo)體襯底。圖1中示出與襯底1的表面平行且相互垂直的X方向及Y方向、以及與襯底1的表面垂直的Z方向。本說明書中，將+Z方向作為上方向，將-Z方向作為下方向。-Z方向可與重力方向一致，也可與重力方向不一致。Z方向?yàn)樘囟ǚ较虻睦印?/p>