[發明專利]自適應消除LED鬼影和耦合方法及電路

有效

• 申請號: 202210196137.3
• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN114267290B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 張文文;戴加良
• 申請（專利權）人: 深圳英集芯科技股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 唐慧

1.一種自適應消除LED鬼影和耦合方法，其特征在于，應用于自適應消除LED鬼影和耦合電路，所述自適應消除LED鬼影和耦合電路包括LED顯示陣列以及為所述LED顯示陣列提供行選信號和列選信號的驅動芯片，所述LED顯示陣列包括m行*n列個LED，所述m和n均為正整數，每行LED并聯一個行寄生電容以及串聯鬼影消除電路，每列LED并聯一個列寄生電容以及串聯耦合消除電路；

所述方法包括：

通過所述鬼影消除電路控制第一放電速度，根據所述第一放電速度增加所述行選信號的下降沿斜率，以使所述行寄生電容無法驅動未選中行上的LED，所述第一放電速度為所述行寄生電容的放電速度；

通過所述耦合消除電路控制第一充電速度，根據所述第一充電速度減小所述列選信號的上升沿斜率，以使所述列寄生電容無法驅動未選中列上的LED，所述第一充電速度為所述列寄生電容的充電速度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鬼影消除電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第一電阻、比較器和與門；

所述第一晶體管的源極連接電源，所述第一晶體管的漏極分別連接所述比較器的正向輸入端、所述第二晶體管的漏極、所述行寄生電容的一端以及所述鬼影消除電路的輸出端，所述第一晶體管的柵極分別連接所述鬼影消除電路的輸入端和所述與門的第一輸入端，所述比較器的反向輸入端連接基準電壓VREF，所述比較器的輸出端連接所述與門的第二輸入端，所述與門的輸出端連接所述第二晶體管的柵極，所述第二晶體管的源極連接所述第一電阻的一端，所述第一電阻的另一端連接所述行寄生電容的另一端并接地。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述耦合消除電路包括：第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、可調恒流源、電流配置電路和n個第六晶體管；

所述第三晶體管的柵極分別連接所述耦合消除電路的輸入端和所述第五晶體管的柵極，所述第三晶體管的源極分別連接VCC和所述n個第六晶體管的源極，所述第三晶體管的漏極分別連接所述第四晶體管的柵極、所述第五晶體管的漏極、所述列寄生電容的一端以及所述n個第六晶體管的漏極，所述列寄生電容的另一端接地，所述第四晶體管的源極連接所述耦合消除電路的輸出端，所述第四晶體管的漏極連接所述可調恒流源的第一輸出端，所述可調恒流源的第二輸出端連接所述第五晶體管的源極并接地，所述電流配置電路分別連接所述可調恒流源的控制端和所述n個第六晶體管的柵極。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過所述鬼影消除電路控制第一放電速度，根據所述第一放電速度增加所述行選信號的下降沿斜率，包括：

在所述行選信號為低電平時，通過所述行選信號將所述第一晶體管處于導通狀態，并通過所述電源對所述行寄生電容進行充電；

在所述行選信號為高電平時，通過所述行選信號將所述第一晶體管處于截止狀態，并在第一時間內通過所述行寄生電容放電驅動導通所述第二晶體管，所述第一時間為所述行寄生電容的電量大于或等于所述VREF的時間；

根據時間與下降沿斜率之間的映射關系，確定所述第一時間對應的所述行選信號的下降沿斜率。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過所述耦合消除電路控制第一充電速度，根據所述第一充電速度減小所述列選信號的上升沿斜率，包括：

在所述行選信號為高電平時，通過所述列寄生電容放電將所述第五晶體管處于導通狀態；

在所述列選信號為低電平時，通過所述列選信號將所述第三晶體管和所述第四晶體管均處于導通狀態，并通過所述VCC在第二時間內對所述列寄生電容進行充電，所述第二時間由所述n個第六晶體管中導通的第六晶體管數量確定；

根據時間與上升沿斜率之間的映射關系，確定所述第二時間對應的所述列選信號的上升沿斜率。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述n個第六晶體管均為弱導通的晶體管。