[發明專利]一種GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法在審
| 申請號： | 202210195724.0 | 申請日： | 2022-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN114564907A | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 周琦;羅志華;黨其亮;鄧超;蔡永蓮;母彧丞;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院 |
| 主分類號： | G06F30/367 | 分類號： | G06F30/367;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孫一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan hemt 器件 閾值 電壓 電流 模型 建立 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN HEMT器件閾值電壓及漏極電流模型的建立方法，其特征在于，建立閾值電壓模型為：
其中，VoffX為氮化鎵器件的閾值電壓，Voff為氮化鎵器件無開關應力理想條件下閾值電壓，k、B、C、D為與陷阱能級、陷阱數量相關系數，m1、m2、n1、n2為閾值電壓頻率擬合因子，f為氮化鎵器件開關頻率，VDSQ為器件關態漏極電壓；
建立漏極電流模型為：
其中，Ids為器件漏極電流，W為器件柵寬，L為器件柵長，ε為氮化鎵器件介質層介電常數，TBAR為介質層厚度，λ為溝道長度調制參數，Vt為熱電勢，μeff為有效遷移率，VSAT為載流子飽和漂移速度，U0為低場遷移率，UA、UB為遷移率退化系數，Ey,eff有效垂直電場，Ex為橫向電場，Vg為柵極電壓，VoffX為閾值電壓，VDS為漏源電壓，為漏極電勢與源極電勢平均值，為漏極電勢與源極電勢差值。
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