[發明專利]屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 202210195669.5
• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114566542A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 姜怡雯;宋金星
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底內形成初始溝槽；

于所述初始溝槽的側壁形成第一犧牲保護層；

對所述基底繼續進行刻蝕，以于所述初始溝槽底部形成第一溝槽；

于所述第一溝槽的槽壁表面形成屏蔽柵介質層；

去除所述第一犧牲保護層，且對所述基底繼續進行刻蝕，以將所述初始溝槽擴展而形成第二溝槽；

形成屏蔽柵極、隔離結構、控制柵介質層以及控制柵極，所述屏蔽柵極形成于所述第一溝槽內，所述控制柵極形成于所述第二溝槽內，所述隔離結構形成于所述屏蔽柵極與所述控制柵極之間，所述控制柵介質層形成于所述控制柵極與所述第二溝槽的側壁之間。

2.根據權利要求1所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二溝槽的側壁傾斜，且所述第二溝槽的溝槽傾斜角度大于所述第一溝槽的溝槽傾斜角度。

3.根據權利要求1所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述形成屏蔽柵極、隔離結構、控制柵介質層以及控制柵極，包括：

于所述第二溝槽側壁形成第二犧牲保護層；

于所述第二溝槽以及所述第一溝槽內沉積屏蔽柵材料層，且對所述屏蔽柵極材料層進行回刻，以于所述第一溝槽內形成屏蔽柵極；

于所述屏蔽柵極上形成隔離結構；

于第二溝槽的側壁表面形成控制柵介質層；

于所述第二溝槽內形成控制柵極。

4.根據權利要求3所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述于所述控制柵極與所述第二溝槽的側壁之間形成控制柵介質層之前，還包括：

去除所述第二犧牲保護層。

5.根據權利要求4所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述隔離結構位于所述第一溝槽內。

6.根據權利要求3或4所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二犧牲保護層的厚度小于所述屏蔽柵介質層的厚度。

7.根據權利要求1所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一溝槽與所述基底的底面之間的夾角為89°至90°。

8.一種屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，包括：

基底；

第二溝槽，形成于所述基底內；

第一溝槽，形成于所述第二溝槽底部，所述第二溝槽自所述第一溝槽的上方擴展刻蝕形成；

屏蔽柵極，位于所述第一溝槽內；

屏蔽柵介質層，形成于所述第一溝槽側壁與所述屏蔽柵極之間；

控制柵極，位于所述第二溝槽內；

控制柵介質層，形成于所述第二溝槽側壁與所述控制柵極之間；

隔離結構，位于所述屏蔽柵極與所述控制柵極之間。

9.根據權利要求8所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，所述隔離結構位于所述第一溝槽內。

10.根據權利要求8所述的屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，所述所述第一溝槽與所述基底的底面之間的夾角為89°至90°。