[發明專利]一種難熔高熵合金及其制備方法在審
| 申請號: | 202210194697.5 | 申請日: | 2022-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN114606421A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 姜威;朱寶宏;陶書天;張煒 | 申請(專利權)人: | 有研工程技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | C22C30/00 | 分類號: | C22C30/00;C22C1/02;B22D7/00 |
| 代理公司: | 中國有色金屬工業專利中心 11028 | 代理人: | 范威 |
| 地址: | 101407 北京市懷*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 難熔高熵 合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種難熔高熵合金,其特征在于,所述合金包括Hf、Nb、Ti、V元素,所述Hf、Nb、Ti、V的原子比為1:1:1:1。
2.根據權利要求1所述的一種難熔高熵合金,其特征在于,所述合金包括Hf、Nb、Ti、V和C元素,所述Hf、Nb、Ti、V、C的原子比為1:1:1:1:x,其中,x=0~0.3。
3.根據權利要求1或2所述的一種難熔高熵合金,其特征在于,所述合金在鑄態下的微觀結構由BCC相基體和FCC型碳化物強化相組成。
4.根據權利要求1或2所述的一種難熔高熵合金的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)按照所述原子比準備難熔高熵合金所需原料;
(2)將原料置于真空電弧爐中的銅坩堝內,在備用坩堝中放置高純金屬鈦,然后抽真空到真空度3×10-3~5×10-3Pa后,充入高純氬氣使爐內氣壓保持5×10-3~1×10-2MPa;
(3)熔煉高純金屬鈦,以消除爐內殘留的氧氣;
(4)進行合金熔煉,起弧電流為200A,熔煉電流為300A~450A,待銅坩堝內原料完全熔融成液態后,保持電弧熔煉2~5min,經冷卻得到合金鑄錠;
(5)將合金鑄錠翻轉,重復步驟(4),得到所述的難熔高熵合金。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,稱量前用砂紙打磨原料表面的氧化物表皮,并放入工業級乙醇中超聲清洗20~25min。
6.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述原料包括純度均高于99.5%的Hf、Nb、Ti、V。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,將Hf、Nb、Ti、V按照熔點由低到高的順序自下而上布置在銅坩堝中。
8.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,所述原料包括純度均高于99.5%的Hf、Nb、Ti、V、NbC和Ti箔。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,先將NbC以Ti箔包裹,并置于銅坩堝的最底部,然后自下而上將Hf、Nb、Ti、V按照熔點由低到高的順序布置在銅坩堝中。
10.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,重復步驟(4)六到八次。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于有研工程技術研究院有限公司,未經有研工程技術研究院有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210194697.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





