[發明專利]一種真空反應室內溫度控制裝置在審
| 申請號: | 202210193565.0 | 申請日: | 2022-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN114709148A | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 王浩明 | 申請(專利權)人: | 蘇州子山半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331 | 代理人: | 夏祖祥 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 真空 反應 室內 溫度 控制 裝置 | ||
1.一種真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:包含底座、加熱組件和載臺;
所述底座設置在真空反應室內,且頂部設置有凹槽;
所述加熱組件設置在凹槽內,包括設置在凹槽底部的陶瓷板、設置在陶瓷板頂部的導電件、至少一個設置在導電件上的遠紅外燈泡;
所述載臺設置在底座頂部,且覆蓋凹槽;所述載臺采用半導體制冷片制成。
2.根據權利要求1所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述底座的底部分別設置有與凹槽連通的進氣孔和出氣孔;所述陶瓷板上分別設置有兩個與進氣孔和出氣孔位置對應的第一通孔。
3.根據權利要求2所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述底座的底部分別設置有與凹槽連通的零線孔和火線孔;所述陶瓷板上分別設置有兩個與零線孔和火線孔位置對應的第二通孔。
4.根據權利要求3所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述底座包括連接部、設置在連接部頂部的支撐臺;所述支撐臺的直徑大于連接部的直徑;所述凹槽設置在支撐臺內。
5.根據權利要求4所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述連接部包括與真空反應室連接且與支撐臺平行放置的連接臺、至少三根用于連接支撐臺和連接臺的連接柱;所述進氣孔、出氣孔、零線孔和火線孔均穿過連接柱與凹槽連通。
6.根據權利要求5所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述底座的頂部在凹槽外設置有耐高溫的金屬密封圈。
7.根據權利要求6所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述載臺通過多顆圓周均勻分布的螺栓固定在底座頂部。
8.根據權利要求1-7任意一項所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述導電件包括相對放置的零線導電銅塊和火線導電銅塊;所述零線導電銅塊和火線導電銅塊上均設置有接線孔。
9.根據權利要求8所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述陶瓷板的頂部分別設置有與零線導電銅塊和火線導電銅塊形狀對應的定位槽。
10.根據權利要求9所述的真空反應室內溫度控制裝置,其特征在于:所述遠紅外燈泡呈長條狀,且設置有多個,并且兩端分別均勻設置在零線導電銅塊和火線導電銅塊上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





