[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管顯示芯片及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210192674.0 | 申請(qǐng)日： | 2022-02-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114566515A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 仉旭;莊永漳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/15 | 分類號(hào)： | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505 | 代理人： | 周達(dá) |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微型 發(fā)光二極管 顯示 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，包括：
第一基板，包括驅(qū)動(dòng)電路和與所述驅(qū)動(dòng)電路電性連接的多個(gè)第一觸點(diǎn)；
設(shè)置于所述第一基板上的LED半導(dǎo)體層，包括層疊設(shè)置的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層，所述LED半導(dǎo)體層被劃分為多個(gè)可被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的LED單元，所述多個(gè)LED單元陣列排布，所述第一觸點(diǎn)位于相鄰的所述LED單元之間；
多個(gè)絕緣件，設(shè)置于所述第一基板上并對(duì)應(yīng)所述第一觸點(diǎn)設(shè)置，且所述絕緣件具有暴露對(duì)應(yīng)的第一觸點(diǎn)的開(kāi)孔；
位于所述第一基板和所述LED半導(dǎo)體層之間的鍵合層，包括與所述第一摻雜型半導(dǎo)體層電性連接的鍵合主體部和位于所述開(kāi)孔內(nèi)的鍵合墊，所述絕緣件使所述鍵合墊與所述鍵合主體部相互絕緣，所述鍵合墊與所述第一觸點(diǎn)電性連接；所述LED單元對(duì)應(yīng)的第二摻雜型半導(dǎo)體層經(jīng)所述鍵合墊與所述第一觸點(diǎn)電性連接使每一所述LED單元能夠被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述絕緣件高度小于或等于所述鍵合主體部高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述鍵合墊高度小于或等于所述絕緣件的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述絕緣件的材料為金屬氧化物或者有機(jī)材料中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，還包括：
鈍化層，設(shè)置于所述第二摻雜型半導(dǎo)體層上，具有對(duì)應(yīng)所述鍵合墊的第一開(kāi)孔和對(duì)應(yīng)所述第二摻雜型半導(dǎo)體層的第二開(kāi)孔；
電極層，設(shè)置于所述鈍化層上，通過(guò)所述第一開(kāi)孔和所述第二開(kāi)孔與各所述LED單元的所述鍵合墊和所述第二摻雜型半導(dǎo)體層電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，
所述LED半導(dǎo)體層包括與各所述LED單元一一對(duì)應(yīng)的臺(tái)階結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述LED單元的所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，所述鈍化層包覆所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的周向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)高度大于或等于所述第二摻雜型半導(dǎo)體層厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，還包括：位于相鄰所述LED單元之間的離子注入阻隔材料，所述離子注入阻隔材料用于電隔離相鄰的所述LED單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述離子注入阻隔材料高度大于或等于所述第二摻雜型半導(dǎo)體層厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述第一基板還包括與所述驅(qū)動(dòng)電路電性連接的第二觸點(diǎn)，所述LED單元對(duì)應(yīng)的第一摻雜型半導(dǎo)體層經(jīng)所述鍵合主體部與所述第二觸點(diǎn)電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，對(duì)應(yīng)多個(gè)所述LED單元的所述第一摻雜型半導(dǎo)體層一體連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的電極結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述LED單元的所述電極結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，對(duì)應(yīng)多個(gè)所述LED單元的所述鍵合主體部一體設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
