[發明專利]一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統

在審

• 申請號: 202210191897.5
• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114401580A
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 邵瑋
• 申請（專利權）人: 江蘇蚩煜科技有限公司
• 主分類號: H05H15/00
• 分類號: H05H15/00
• 代理公司: 南通啟佑專利商標代理事務所(普通合伙) 32637
• 代理人: 馬曉武

1.一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，包括固定座板（1），其特征在于：所述固定座板（1）上沿其軸向設有若干結構固定件（2），所述固定座板（1）沿結構固定件（2）軸向向外等距間隔設置若干射頻電極板（3），所述固定座板（1）上開設有入口（4），射頻電極板（3）的內側開設有通孔（5），各射頻電極板（3）上所述通孔（5）在入口（4）處向射頻電極板（3）疊加方向整體呈錐形，每相鄰兩個所述射頻電極板（3）之間連接有一個電阻器，沿射頻電極板（3）疊加方向上每單數序射頻電極板（3）之間及每雙數序射頻電機板之間均連接一個高壓瓷片電容并并聯，所述固定座板（1）上還設有真空腔體。

2.根據權利要求1所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述射頻電極板（3）設有36片，且每片厚度為1mm，外徑為45mm，相鄰兩個所述射頻電極板（3）之間的間距為2.5mm，所述固定座板（1）端部入口（4）為團簇進入的上游，另一端為下游，由上游向另一端起，第1至第15片射頻電極板（3）內徑為25 mm，第16片起其內徑尺寸每片遞減縮小1.05mm，下游端口處電極板的內徑為3mm，所述高壓瓷片電容值為100pF，耐電壓10kV，所述電阻器阻值為1MΩ。

3.根據權利要求1所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述結構固定件（2）由多個單體連接件（6）構成，所述單體連接件（6）為階梯軸狀，其一端外側壁設有第一螺紋段（7），所述單體連接件（6）的另一端設有凹槽（8），所述凹槽（8）的側壁與第一螺紋段（7）適配設置，與固定座板（1）相鄰的所述單體連接件（6）固定連接于固定座板（1）上。

4.根據權利要求3所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述單體連接件（6）的軸向中心線上開設有通槽（9），通槽（9）內設有第二螺紋段（10），各所述單體連接件（6）之間共同連接有與第二螺紋段（10）適配的絲杠（11），第二螺紋段（10）與第一螺紋段（7）上的螺紋旋向相同，其余參數均不相同。

5.根據權利要求4所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述絲杠（11）的外表面螺紋非連續性螺紋，其在絲杠（11）端面圓周向分為若干空白區（12）和螺紋區（13），螺紋區（13）和空白區（12）交替分布，所述第二螺紋段（10）與絲杠（11）表面適配設置，且單個螺紋區（13）的圓周角度不大于單個空白區（12）圓周角度。

6.根據權利要求2所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：與所述固定座板（1）連接的單體連接件（6）上凹槽（8）的底面連接有彈性件（14）。

7.根據權利要求4所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述絲杠（11）的頂部設有非圓形凸塊或非圓形槽。

8.根據權利要求3所述的一種低真空團簇及重離子束流射頻環形電極組聚焦系統，其特征在于：所述單體連接件（6）的底端側壁設有減重腔（15）。