[發明專利]一種曝光抗蝕劑改性工藝及液相微納加工設備

在審

• 申請號: 202210191663.0
• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114545745A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 王德強;曾德林;方紹熙;黃周昶
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學;中國科學院重慶綠色智能技術研究院
• 主分類號: G03F7/26
• 分類號: G03F7/26;G03F7/32;G03F7/004
• 代理公司: 北京漢迪信和知識產權代理事務所(普通合伙) 16085
• 代理人: 趙景煥

1.一種曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟S1，制備聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜；

步驟S2，對聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的極化通路進行連接；

步驟S3，對帶有待加工圖案的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜進行曝光；

步驟S4，對加工圖案的顯影以及定影；

步驟S5，將定影之后的帶有加工圖案的PMMA薄膜，用氮氣槍吹出表面的水分，完成PMMA薄膜的改性工作。

2.根據權利要求1所述的曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，制備聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜具體包括以下步驟：將鍍有金層的硅片放置于勻膠機中，將聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)均勻旋涂在鍍有金層的硅片上；并將旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的鍍有金層的硅片放置于熱板中，烘烤20分鐘(min)-60分鐘，將PMMA溶液中的溶劑烤干，留下PMMA薄膜。

3.根據權利要求1所述的曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，對聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的極化通路進行連接具體包括以下步驟：將通過PMMA薄膜基底的電極與偏壓電源的負極相連接，在PMMA薄膜上方，利用拉制儀，拉制出2μm的納米移液器，注入緩沖溶液；然后通過氯化銀電極連接偏壓電源。

4.根據權利要求3所述的曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，對帶有待加工圖案的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜進行曝光具體包括以下步驟：控制納米移液器，使得納米移液器接觸帶有金層的PMMA，施加小于2V的電壓，保持恒壓作用一定時間，依據控制系統所給的位移和速度參數，控制納米移液器橫向或者縱向移動。

5.根據權利要求1所述的曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，對加工圖案的顯影以及定影具體包括以下步驟：將帶有加工圖案的硅片放置于顯影液中，顯影液的配比為MIBK:IPA＝1:3(體積比)的溶液中，并靜置5min。

6.根據權利要求1所述的曝光抗蝕劑改性工藝，其特征在于，對加工圖案的顯影以及定影具體包括以下步驟：顯影過后用鑷子取出并放置于定影液IPA中。

7.一種液相微納加工設備，其特征在于，其用于曝光抗蝕劑改性工藝，所述液相微納加工設備可以實現納米薄膜圖形化的加工。

8.根據權利要求7所述的液相微納加工設備，其特征在于，所述液相微納加工設備包括納米移液器、三維運動控制系統、納米薄膜、電極納米薄膜基板和偏壓電源。

9.根據權利要求8所述的液相微納加工設備，其特征在于，納米移液器內部注入氯化鋰溶液作為液相微納加工的電子載體，與所述偏壓電源的正極通過氯化銀電極連接，納米移液器固定在由三維運動控制系統所控制的機械夾持器上。

10.根據權利要求9所述的液相微納加工設備，其特征在于，納米移液器通過機械連接件固定；納米移液器通過激光拉制儀拉制玻璃毛細管所得，所述納米移液器尖端半徑為90nm-3μm之間的任一數值；納米移液器的尖端微液滴與加工樣品表面接觸。