[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202210188963.3
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN115394773A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 鄭珉在;都楨湖;徐在禹;柳志秀;俞炫圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底，所述襯底包括第一邏輯單元和第二邏輯單元，所述第一邏輯單元和所述第二邏輯單元在第一方向上彼此相鄰并共享單元邊界；

第一金屬層，所述第一金屬層位于所述襯底上，所述第一金屬層包括電力線，所述電力線設置在所述單元邊界上以在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸并具有平行于所述第二方向的中心線；以及

第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上，

其中，所述第二金屬層包括設置在所述第一邏輯單元上的所述第一邏輯單元的第一上互連線和所述第一邏輯單元的第二上互連線以及設置在所述第二邏輯單元上的所述第二邏輯單元的第一上互連線和所述第二邏輯單元的第二上互連線，

所述第一邏輯單元的所述第一上互連線和所述第二邏輯單元的所述第一上互連線沿著第一互連軌道在所述第一方向上延伸，并且在俯視圖中分別具有面對所述中心線的彎曲端線，

所述第一邏輯單元的所述第二上互連線和所述第二邏輯單元的所述第二上互連線沿著第二互連軌道在所述第一方向上延伸，并且在俯視圖中分別具有面對所述中心線的彎曲端線，

所述第一邏輯單元的所述第一上互連線的所述彎曲端線在所述第一方向上與所述中心線之間的最大距離以及所述第二邏輯單元的所述第一上互連線的所述彎曲端線在所述第一方向上與所述中心線之間的最大距離是第一距離，

所述第一邏輯單元的所述第二上互連線的所述彎曲端線在所述第一方向上與所述中心線之間的最小距離是第二距離，并且

所述第一距離小于所述第二距離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第一上互連線和所述第一邏輯單元的所述第二上互連線在所述第二方向上彼此相鄰。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第一上互連線的所述彎曲端線和所述第二邏輯單元的所述第一上互連線的所述彎曲端線在俯視圖中具有凹形輪廓。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二邏輯單元的所述第二上互連線的所述彎曲端線在所述第一方向上與所述中心線之間的最小距離等于或大于所述第一距離。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第二上互連線的所述彎曲端線和所述第二邏輯單元的所述第二上互連線的所述彎曲端線在俯視圖中具有凸形輪廓。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二金屬層還包括設置在所述第一邏輯單元上的所述第一邏輯單元的第三上互連線和所述第一邏輯單元的第四上互連線以及設置在所述第二邏輯單元上的所述第二邏輯單元的第三上互連線和所述第二邏輯單元的第四上互連線，

所述第一邏輯單元的所述第三上互連線和所述第二邏輯單元的所述第三上互連線沿著第三互連軌道在所述第一方向上延伸，

所述第一邏輯單元的所述第四上互連線和所述第二邏輯單元的所述第四上互連線沿著第四互連軌道在所述第一方向上延伸，并且

所述第一邏輯單元的所述第三上互連線在所述第一方向上與所述第二邏輯單元的所述第三上互連線之間的最小距離以及所述第一邏輯單元的所述第四上互連線在所述第一方向上與所述第二邏輯單元的所述第四上互連線之間的最小距離大于所述第一距離與所述第二距離之和。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第三上互連線和所述第二邏輯單元的所述第三上互連線與所述第一邏輯單元的所述第四上互連線和所述第二邏輯單元的所述第四上互連線在所述第二方向上相鄰。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第三上互連線的端部和所述第二邏輯單元的所述第三上互連線的端部以及所述第一邏輯單元的的所述第四上互連線的端部和所述第二邏輯單元的所述第四上互連線的端部在俯視圖中具有凸形輪廓。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一邏輯單元的所述第一上互連線的端部以及所述第二邏輯單元的所述第一上互連線的端部與所述電力線垂直地交疊。