[發(fā)明專(zhuān)利]三維存儲(chǔ)器及其制作方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210188480.3 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114551471A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李倩;伍術(shù);肖亮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/11582 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/11582;H01L27/1157;G11C5/02 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李鎮(zhèn)江 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲(chǔ)器 及其 制作方法 存儲(chǔ)系統(tǒng) 電子設(shè)備 | ||
1.一種三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu);
形成溝道孔,所述溝道孔貫穿所述疊層結(jié)構(gòu),并延伸至所述襯底內(nèi);
在所述溝道孔的底部形成阻擋層;
在所述溝道孔中,形成位于所述阻擋層上的溝道結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述在所述溝道孔的底部形成阻擋層,具體包括:
在露出于所述溝道孔的底部的所述襯底表面上生長(zhǎng)阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述在所述溝道孔的底部形成阻擋層,具體包括:
對(duì)露出于所述溝道孔的底部的所述襯底表面進(jìn)行氧化處理而形成氧化物,所述氧化物從所述襯底中未被氧化的剩余襯底向所述溝道孔的底部?jī)?nèi)的方向延伸,以形成所述阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu),具體包括:
在襯底上形成犧牲層;
在所述犧牲層上形成疊層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述阻擋層相對(duì)于所述溝道孔底表面的高度不大于所述犧牲層相對(duì)于所述溝道孔底表面的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述在所述溝道孔中,形成位于所述阻擋層上的溝道結(jié)構(gòu),具體包括:
在所述溝道孔的側(cè)壁和所述阻擋層的表面上形成包括溝道層的溝道結(jié)構(gòu);
且在所述溝道孔中,形成位于所述阻擋層上的溝道結(jié)構(gòu)之后,還包括:
去除所述襯底和所述阻擋層,并露出所述溝道層的端部;
形成覆蓋且連接所述溝道層的端部的共源極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述溝道結(jié)構(gòu)還包括存儲(chǔ)功能層,所述存儲(chǔ)功能層和所述溝道層依次形成于所述溝道孔的側(cè)壁和所述阻擋層的表面上,且所述去除所述襯底和所述阻擋層,并露出所述溝道層的端部,具體包括:
去除所述襯底和所述阻擋層,以露出所述犧牲層以及所述溝道結(jié)構(gòu)的端部;
去除所述犧牲層以及所述溝道結(jié)構(gòu)的端部中的存儲(chǔ)功能層,以露出所述溝道層的端部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,在所述犧牲層上形成疊層結(jié)構(gòu)之前,還包括:
在所述犧牲層上形成停止層,所述疊層結(jié)構(gòu)位于所述停止層上,所述溝道孔貫穿所述停止層;
所述去除所述犧牲層以及所述溝道結(jié)構(gòu)的端部中的存儲(chǔ)功能層,以露出所述溝道層的端部,具體包括:
以所述停止層為刻蝕停止層,相對(duì)于所述溝道層,選擇性刻蝕去除所述犧牲層以及所述溝道結(jié)構(gòu)的端部中的存儲(chǔ)功能層,以露出所述停止層以及所述溝道層的端部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲(chǔ)器的制作方法,其特征在于,所述在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu),具體包括:
在襯底上形成第一堆棧結(jié)構(gòu);
形成第一溝道孔,所述第一溝道孔貫穿所述第一堆棧結(jié)構(gòu),并延伸至所述襯底內(nèi);
在所述第一溝道孔中形成犧牲材料層;
在所述第一堆棧結(jié)構(gòu)和所述犧牲材料層上形成第二堆棧結(jié)構(gòu),以得到包括所述第一堆棧結(jié)構(gòu)和所述第二堆棧結(jié)構(gòu)的疊層結(jié)構(gòu);
所述在疊層結(jié)構(gòu)中形成溝道孔,具體包括:
形成貫穿所述第二堆棧結(jié)構(gòu)的第二溝道孔,所述第二溝道孔暴露出所述犧牲材料層;
經(jīng)由所述第二溝道孔去除所述犧牲材料層,以得到包括所述第一溝道孔和所述第二溝道孔的溝道孔。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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