[發(fā)明專利]一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210186086.6 | 申請(qǐng)日： | 2022-02-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114517331A | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許坤;趙俊賢;王沛;王皓;呂思遠(yuǎn);葉志豪;曾凡光;杜銀霄;陳雷明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C30B28/14 | 分類號(hào)： | C30B28/14;C30B29/04;C30B33/00 |
| 代理公司： | 洛陽公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 李現(xiàn)艷 |
| 地址： | 450015 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mpcvd 生長 多晶 金剛石 制備 方法 | ||
1.一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、選取質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%~80%硅溶膠溶液與金剛石微粉均勻混合后得到混合物；
步驟二、將步驟一得到的混合物直接壓制成襯底片或者將步驟一得到的混合物與鉬臺(tái)一起壓鑄成型得到坯體，進(jìn)行預(yù)燒結(jié)；
步驟三、將步驟二預(yù)燒結(jié)后得到的襯底片或坯體放入MPCVD機(jī)器腔體中，在750~1250℃沉積10~240h，獲得多晶金剛石毛坯；
步驟四、采用BOE溶液處理步驟三得到的多晶金剛石毛坯之后即得到多晶金剛石。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：步驟一中金剛石微粉的粒度為10nm~150μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：步驟一中金剛石微粉與硅溶膠溶液的質(zhì)量比為1:12~1:140。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：步驟二中預(yù)燒結(jié)的溫度設(shè)定程序?yàn)椋涸?20℃下保溫60分鐘，然后以0.5-2℃/min升溫速率升至650℃，保溫3小時(shí)，然后進(jìn)行降溫，降溫速率為0.5-3℃/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：步驟三中采用微波源為2450MHz的機(jī)器，功率為600~6000W/h，溫度上升40~60℃/min，啟動(dòng)機(jī)器時(shí)，提升到設(shè)定的750℃~1250℃的溫度時(shí)先進(jìn)行刻蝕20~30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：步驟三沉積過程中通入的甲烷氣體流量和氫氣氣體流量比為1:10~1:30；通入的氮?dú)饬髁繛?sccm~2 sccm，氣體在腔體形成的壓力為80tor~300tor。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MPCVD法生長多晶金剛石的制備方法，其特征在于：所述BOE中氫氟酸體積分?jǐn)?shù)為10 ~30%。
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