[發(fā)明專利]一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210185868.8 | 申請日： | 2022-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN114423103A | 公開（公告）日： | 2022-04-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅浩;楊小華;蔡建財 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H05B3/02 | 分類號： | H05B3/02;H05B3/03;H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京深川專利代理事務(wù)所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 徐文昌 |
| 地址： | 364000 福建省龍巖市新*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 異型 半導(dǎo)體 納米 電熱 發(fā)熱 | ||
1.一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于，包括基體(1)，所述基體(1)內(nèi)的左右兩側(cè)均鍍有電極(2)，所述基體(1)上表面的中部鍍有半導(dǎo)體納米電熱膜(3)，所述半導(dǎo)體納米電熱膜(3)的兩端與兩個電極(2)通電部位固定連接，所述半導(dǎo)體納米電熱膜(3)的數(shù)量大于一個，所述基體(1)上表面的外側(cè)和兩個相鄰的半導(dǎo)體納米電熱膜(3)之間均使用半導(dǎo)體納米電熱膜阻隔液防止鍍膜的處理或在鍍膜后可以進行激光除膜和打磨噴砂處理形成未鍍膜絕緣基體(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于：每個所述半導(dǎo)體納米電熱膜(3)的面積相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于：所述電極(2)兩端采用高溫接線的方式與外部的導(dǎo)線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于：所述電極(2)為臺階狀，且兩個電極(2)與每個半導(dǎo)體納米電熱膜(3)通電部位相互平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于：所述基體(1)的側(cè)面做有絕緣處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異型半導(dǎo)體納米電熱膜發(fā)熱體，其特征在于：所述基體(1)的材質(zhì)為玻璃、陶瓷和經(jīng)絕緣層處理后的金屬。
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