[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210185705.X
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN115207121A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 金成玟
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/48;H01L23/528
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

1.一種半導體裝置，包括：

基體基底；

第一電極板，位于基體基底上；

第一電力軌，位于第一電極板上，第一電力軌在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上與第一電極板重疊；

第二電力軌，位于第一電極板上，第二電力軌在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上與第一電極板重疊，并且第二電力軌在與第一水平方向不同的第二水平方向上與第一電力軌間隔開；

第一電力軌接觸件，將第一電極板和第一電力軌電連接；

絕緣層，位于基體基底上，絕緣層圍繞第一電極板、第一電力軌和第二電力軌；以及

柵電極，在絕緣層上在第二水平方向上延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

源極/漏極區域，與柵電極的彼此背對的側壁相鄰；以及

第一源極/漏極接觸件，與柵電極的第一側壁相鄰，在垂直方向上穿透源極/漏極區域，第一源極/漏極接觸件將源極/漏極區域電連接到第一電力軌。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，源極/漏極區域的上表面與第一源極/漏極接觸件的上表面位于同一平面上。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括：第二源極/漏極接觸件，在垂直方向上從源極/漏極區域的上表面延伸，第二源極/漏極接觸件與柵電極的第二側壁相鄰，柵電極的第二側壁與柵電極的第一側壁背對。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：第二電極板，在絕緣層內部位于第一電極板上，第二電極板在垂直方向上與第一電力軌和第二電力軌中的每個重疊，并且第一電力軌接觸件在垂直方向上穿透第二電極板。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，第一電力軌接觸件包括：

第一部分，連接到第一電極板，第一部分在垂直方向上穿透第二電極板，并且第一部分的上表面高于第二電極板的上表面；以及

第二部分，將第一部分和第一電力軌連接。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，第一電力軌接觸件的第一部分的上表面在第一水平方向上的寬度與第一電力軌接觸件的第二部分的下表面在第一水平方向上的寬度不同。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，第一電力軌接觸件的第一部分的上表面的至少一部分和第一電力軌接觸件的第二部分的下表面的至少一部分均與絕緣層接觸。

9.根據權利要求5所述的半導體裝置，還包括：第二電力軌接觸件，在第二電極板的上表面上在垂直方向上延伸，第二電力軌接觸件將第二電極板電連接到第二電力軌。

10.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，在第二電極板內部的第一電力軌接觸件在第一水平方向上的寬度大于在第二電極板的上表面與絕緣層之間的界面處的第一電力軌接觸件在第一水平方向上的寬度。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第一電力軌接觸件的側壁具有連續的傾斜輪廓。

12.根據權利要求1至11中的任一項所述的半導體裝置，還包括：多個納米片，堆疊在絕緣層上并且在垂直方向上彼此間隔開，柵電極圍繞所述多個納米片。