[發(fā)明專利]一種R-T-B永磁體生產(chǎn)工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210184886.4
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN114334425A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李建;李濱;杜偉;仉喜峰;劉濤;高矗;張守華;鄧志偉;車一鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 安泰愛科科技有限公司;安泰科技股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37223
• 代理人: 張雯

1.一種R-T-B永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：包括以下步驟：

1）R-T-B燒結(jié)磁體毛坯在一個方向上切割為15mm以下作為厚度方向，厚度方向兩側(cè)為被濺射面；

2）被濺射面進(jìn)行表面處理后，對被濺射面進(jìn)行重稀土濺射鍍膜，被濺射面與磁化方向平行或垂直，其中，當(dāng)被濺射面與磁化方向平行時，則重稀土濺射鍍膜厚度為磁體厚度的0.12%~2.4%；

3）步驟2）所得R-T-B燒結(jié)磁體毛坯在600~1000℃保溫3~60h；其中，當(dāng)被濺射面與磁化方向平行時，分兩段保溫，第一段保溫溫度600~900℃，保溫0~50h，第二段保溫800~1000℃，保溫3~50h，且第二段保溫比第一段保溫溫度高30~100℃；

4）步驟3）所得R-T-B燒結(jié)磁體毛坯回火熱處理，獲得R-T-B永磁體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟2）所述的表面處理包括除油、漂洗、防銹和烘干。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟2）所述的表面處理與重稀土濺射鍍膜步驟之間還對R-T-B燒結(jié)磁體毛坯進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的離子轟擊，轟擊時長1~10min，壓力0.01~1Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：所述的離子轟擊前還對R-T-B燒結(jié)磁體毛坯進(jìn)行預(yù)加熱，預(yù)加熱為在60~150℃環(huán)境下加熱1~10min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟2）所述的R-T-B燒結(jié)磁體毛坯有多個，且相鄰的R-T-B燒結(jié)磁體毛坯側(cè)面緊密貼合擺放。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟2）所述的重稀土濺射鍍膜中，被濺射面與磁化方向垂直則重稀土濺射鍍膜厚度為磁體厚度的0.1~1.5%。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟2）所述的重稀土濺射鍍膜濺射時間為10~120min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟3）所述的保溫前將爐膛抽真空，真空度小于或等于0.005Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟3）所述的保溫中，被濺射面與磁化方向垂直則采用870~970℃保溫3~35h；被濺射面與磁化方向平行則第一段保溫溫度700~900℃，保溫3~35h，第二段保溫溫度870~970℃，保溫3~35h，且第二段保溫比第一段保溫溫度高80~100℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體生產(chǎn)工藝，其特征在于：步驟4）所述的回火熱處理為450~550℃保溫3~6h。