[發明專利]一種前端放大器和混頻器融合的電路

在審

• 申請號: 202210184738.2
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN114614782A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 顧冠杰;趙博
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H03F3/68
• 分類號: H03F3/68;H03D7/12
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 孫孟輝

1.一種前端放大器和混頻器融合的電路，由信號接收電路和與其連接的反相放大電路組成，其特征在于，信號接收電路包括反相器和開關S0，開關S0的第一端接反相器，第二端接地，第三端接反相放大電路；反相放大電路由N（N為≥1的整數）級反相放大器和各級反相放大器對應的耦合電容及開關組成，反相器接收方波信號并進行取反操作，輸出控制信號至開關S0和各級反相放大器對應的開關，控制開關導通或斷開。

2.如權利要求1所述的一種前端放大器和混頻器融合的電路，其特征在于，所述反相放大電路中，1級耦合電容C1的一端與開關S0的第三端相連，并接收外部輸入的FSK信號，1級耦合電容C1的另一端與1級開關S1的一端共同連接與1級反相放大器A1的輸入端，1級開關S1的另一端與1級反相放大器A1的輸出端共同連接與2級耦合電容C2的一端，2級耦合電容C2的另一端與2級開關S2的一端共同連接至2級反相放大器A2的輸入端，2級反相放大器A2的輸出端連接至3級耦合電容，依次以相同結構連接至第N級反相放大電路。

3.如權利要求2所述的一種前端放大器和混頻器融合的電路，其特征在于，所述反相放大器由一個PMOS管和一個NMOS管組成，PMOS管和NMOS管的柵極都接在輸入的交流信號上且與開關的一端連接，PMOS管的源極與襯底均接到電源VDD，NMOS管的源極與襯底均接到地，PMOS管的漏極和NMOS管的漏極連接并作為輸出，且與開關的另一端連接。

4.如權利要求1所述的一種前端放大器和混頻器融合的電路，其特征在于，所述耦合電容在采用mom電容，用于傳遞交流信號。

5.如權利要求1所述的一種前端放大器和混頻器融合的電路，其特征在于，所述反相器包括： PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極都接在輸入的方波信號上，PMOS管的源極與襯底均接到電源VDD，NMOS管的源極與襯底均接到地，PMOS管的漏極和NMOS管的漏極連接并作為輸出。