[發明專利]基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路及放大器

在審

• 申請號: 202210179945.9
• 申請日: 2022-02-25
• 公開（公告）號: CN114614773A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 賈海昆;黃向榮;鄧偉;池保勇
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/38
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 孟省

1.一種基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，包括：輸入模塊、輸出模塊、晶體管、磁耦合前饋路徑和電耦合前饋路徑；

所述輸入模塊通過所述晶體管與所述輸出模塊串聯，所述磁耦合前饋路徑與所述晶體管并聯，所述電耦合前饋路徑與所述晶體管并聯；

所述磁耦合前饋路徑用于控制所述輸入模塊與所述晶體管之間的輸入匹配和級間匹配；所述電耦合前饋路徑用于去除所述晶體管寄生電容的耦合；

所述輸入模塊用于將輸入信號匹配至所述晶體管，所述晶體管用于將所述輸入信號進行放大，所述輸出模塊用于將放大后的信號匹配至負載上。

2.根據權利要求1所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述磁耦合前饋路徑包括：第一電感、第二電感和第三電感；

所述第一電感、所述第二電感和所述第三電感組成三繞組變壓器，所述三繞組變壓器用于控制所述輸入模塊與所述晶體管之間的輸入匹配和級間匹配。

3.根據權利要求2所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述第一電感的一端分別與所述晶體管的源極和所述輸入模塊相連，所述第一電感的另一端連接與電源相連；

所述第二電感的一端與所述晶體管的柵極相連，所述第二電感的另一端連接偏置電壓；

所述第三電感的一端分別與所述晶體管的漏極和所述輸出模塊相連，所述第三電感的另一端接地。

4.根據權利要求2所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述第一電感與所述第二電感構成堆疊結構，所述第三電感堆疊于所述第一電感與所述第二電感構成的堆疊結構上，以使所述第一電感與所述第二電感之間的耦合極性相反。

5.根據權利要求4所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述第三電感與所述第二電感之間的走線方式為“8”字型。

6.根據權利要求1所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述電耦合前饋路徑包括：第一電容；

所述第一電容的一端與所述晶體管的源極相連，所述第一電容的另一端與所述晶體管的漏極相連；

所述第一電容用于去除所述晶體管寄生電容的耦合。

7.根據權利要求6所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述第一電容的大小等于所述晶體管寄生電容的大小。

8.根據權利要求1-7任一項所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路，其特征在于，所述輸出模塊包括：第四電感、第二電容和第五電感；

所述第四電感、所述第二電容和所述第五電感構成LCL阻抗匹配網絡；

所述LCL阻抗匹配網絡用于將輸出阻抗匹配至負載上。

9.一種放大器，其特征在于，包括如權利要求1-8任一項所述的基于電磁雙耦合的雙前饋路徑低噪聲放大電路。

10.一種多通道芯片，其特征在于，包括如權利要求9所述的放大器。