[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210178743.2 | 申請日： | 2019-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN114583033A | 公開（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張中英;吳霽圃;唐宏彬;廖齊華;鄧有財;張家豪;邱樹添 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光二極管，包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和位于二者之間的發(fā)光層，其特征在于，還包括復(fù)合絕緣反射層，復(fù)合絕緣反射層包含：多個電介質(zhì)對；至少其中一個電介質(zhì)對包括具有第一折射率的第一材料層、具有第二折射率的第二材料層和位于二者之間的應(yīng)力緩沖層，第一折射率大于第二折射率，應(yīng)力緩沖層為介質(zhì)混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，第一材料層與應(yīng)力緩沖層之間接觸的制作應(yīng)力小于第一材料層與第二材料層之間接觸的制作應(yīng)力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，第二材料層與應(yīng)力緩沖層之間接觸的制作應(yīng)力小于第一材料層與第二材料層之間接觸的制作應(yīng)力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，第一材料層包括二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鉛、硫化鋅或者氧化硒，第二材料層包括二氧化硅、氟化鎂、氟化鋇、氟化鈣或者氟化釷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，緩沖層為摻雜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，緩沖層材料包括五氧化二鉭和二氧化鈦的混合物，或者包括二氧化鈦和三氧化二鋁的混合物，或者包括五氧化二鈮和二氧化鈦的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，緩沖層具有第三折射率，第三折射率小于第一折射率，且第三折射率大于第二折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，復(fù)合絕緣反射層對420nm至800nm波長的光，以10°入射角時，反射率大于90%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，復(fù)合絕緣反射層對420nm至800nm波長的光，以10°入射角時，反射率大于95%。
10.一種發(fā)光二極管封裝件，包括封裝體和引線，其特征在于，包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求9中任意一項所述的發(fā)光二極管芯片。
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