[發明專利]一種倒裝發光二極管芯片及制備方法

在審

• 申請號: 202210177950.6
• 申請日: 2022-02-24
• 公開（公告）號: CN114551680A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 李文濤;劉偉;簡弘安;張星星;胡加輝;金從龍;顧偉
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/10;H01L33/14
• 代理公司: 南昌旭瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 36150
• 代理人: 劉紅偉

1.一種倒裝發光二極管芯片的制備方法，用于制備所述倒裝發光二極管芯片，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底之上生長一外延層，對所述外延層進行刻蝕以暴露出Mesa臺階；

對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道，其中，所述切割道處所述外延層的側面與所述襯底的頂面之間所形成銳角夾角為40°-80°；

在所述外延層上生長一電流阻擋層；

在所述外延層上生長一電流擴展層并將所述電流阻擋層覆蓋；

在所述Mesa臺階與所述電流擴展層上分別制備N型導電金屬與P型導電金屬；

在所述N型導電金屬與所述P型導電金屬以及所述電流擴展層上制備布拉格反射層，并對所述布拉格反射層進行刻蝕以得到N型導電通孔與P型導電通孔；

在所述布拉格反射層之上制備與所述N型導電金屬對應的N型鍵合金屬、與所述P型導電金屬對應的P型鍵合金屬，以使所述N型鍵合金屬通過所述N型導電通孔與所述N型導電金屬電性連接、所述P型鍵合金屬通過所述P型導電通孔與所述P型導電金屬電性連接。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道的步驟中，所述刻蝕處理為電感耦合等離子體刻蝕。

3.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道的步驟，具體包括：

在所述外延層及Mesa臺階的表面涂布光刻膠；

對所述外延層及Mesa臺階進行涂膠后熱盤烘烤；

通過光刻版對所述外延層及Mesa臺階進行光刻圖形；

對所述外延層及Mesa臺階進行顯影前烘烤、顯影、顯影后烘烤以及烤箱烘烤；

對所述外延層進行電感耦合等離子體刻蝕，其刻蝕選擇比為0.6-1，以刻蝕得到切割道，去除所述外延層及Mesa臺階上殘留的光刻膠。

4.根據權利要求3所述的倒裝發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道的步驟中，所述切割道處所述外延層的側面與所述襯底的頂面之間所形成銳角夾角為50°。

5.根據權利要求4所述的倒裝發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道的步驟，具體包括：

在所述外延層及Mesa臺階的表面涂布光刻膠，后進行涂膠熱盤烘烤，溫度為120℃，時間為150s；

采用光罩進行曝光，曝光能量為1000mj/cm²；

對所述外延層及Mesa臺階進行顯影，顯影時間為200s；后熱盤烘烤，烘烤溫度為80℃，時間為40s；

對所述外延層及Mesa臺階進行烤箱烘烤，烘烤溫度為70℃，時間為20min；

對所述外延層及Mesa臺階進行電感耦合等離子體刻蝕，刻蝕選擇比為0.85，

去除所述外延層及Mesa臺階上殘留的光刻膠；

在經過上述步驟制備得到切割道后，所述切割道處所述外延層的側面與所述襯底的頂面之間所形成銳角夾角為50°。

6.根據權利要求3所述的倒裝發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，對所述外延層及Mesa臺階進行刻蝕處理并刻蝕至所述襯底，以刻蝕得到切割道的步驟中，所述切割道處所述外延層的側面與所述襯底的頂面之間所形成銳角夾角為65°。