[發(fā)明專利]一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210175687.7
• 申請(qǐng)日: 2022-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114564417A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海孤波科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 上海匯齊專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31364
• 代理人: 朱明福

1.一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟一、識(shí)別閃存塊中的高誤比特率的特征；

步驟二、在FTL中對(duì)每個(gè)閃存塊的誤碼特征進(jìn)行記錄；

步驟三、根據(jù)步驟二記錄的誤碼特征，在FTL中將閃存塊的頁(yè)地址交織在一起；

步驟四、解碼失敗時(shí)，利用Read Retry的數(shù)據(jù)，對(duì)碼字置信度進(jìn)行修正。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述步驟三中高誤比特率的判斷原則為交織判定原則，具體為將一個(gè)閃存塊中的高誤碼率的頁(yè)和另一個(gè)閃存塊中低誤碼率的頁(yè)進(jìn)行交織；交織所滿足的條件如下：設(shè)每次解碼操作處理2x個(gè)頁(yè)，則其中x個(gè)頁(yè)來(lái)自一個(gè)閃存塊中高誤碼率的頁(yè)，另外x個(gè)頁(yè)來(lái)自閃存塊中低誤碼率的頁(yè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述步驟二中的誤碼特征分類根據(jù)地址對(duì)4取余的結(jié)果以及高低位頁(yè)，具體分類如下：

地址對(duì)4取余為0的閃存頁(yè)具有較高的誤比特率；

地址對(duì)4取余為1的閃存頁(yè)具有較高的誤比特率；

地址對(duì)4取余為2的閃存頁(yè)具有較高的誤比特率；

地址對(duì)4取余為3的閃存塊具有較高的誤比特率；

高位頁(yè)普遍具有較高的誤比特率；

低位頁(yè)普遍具有較高的誤比特率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述步驟三中的交織最小單元為閃存塊，交織所用的閃存塊來(lái)自不同的芯片；交織操作的具體邏輯在FTL中執(zhí)行，通過(guò)相應(yīng)的NAND讀寫控制器實(shí)現(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述步驟四的具體操作為利用Read Retry的數(shù)據(jù)，在第二次譯碼時(shí)，采用第一次的數(shù)據(jù)作為參考，如果兩次取值不同，則將其對(duì)應(yīng)的置信度的絕對(duì)值減去一個(gè)偏移量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高M(jìn)LC NAND閃存壽命和正確譯碼率的方法，其特征在于，所述步驟二中每個(gè)閃存塊采用3bit來(lái)記錄步驟一所述的誤碼特征信息。