[發(fā)明專利]一種厚度可控的二維黑砷納米片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210175270.0 | 申請日： | 2022-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN114538509B | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳亞彬;杜國帥;張晶晶 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號： | C01G28/00 | 分類號： | C01G28/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都方圓聿聯(lián)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 鄧永紅 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 厚度 可控 二維 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種厚度可控的二維黑砷納米片的制備方法，其特征在于，其包括：
通過機械剝離法在第一基底上制備得到厚度隨機的黑砷納米片；
將所述厚度隨機的黑砷納米片自所述第一基底上轉(zhuǎn)移至第二基底上；
將帶有所述黑砷納米片的第二基底在管式加熱裝置中進行與空氣持續(xù)接觸的恒溫加熱刻蝕，所述加熱的溫度高于100 ℃、小于320 ℃；
完成所述刻蝕后，自然降溫，獲得所述厚度可控的二維黑砷納米片；
其中，所述第一基底為柔性基底，所述第二基底為硬質(zhì)基底。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述恒溫加熱刻蝕中，加熱溫度每增加50 ℃，刻蝕速率增加10 nm/h。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述恒溫加熱刻蝕中，升溫至恒溫的速率為150~200 ℃/h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一基底的材料選自聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二基底的材料選自二氧化硅、本征硅、石英、云母中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕時間根據(jù)所述厚度隨機的黑砷納米片的初始厚度及其目標(biāo)厚度確定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，其還包括：將所述帶有所述黑砷納米片的第二基底先放置于開放式的加熱載體內(nèi)，再將所述加熱載體放置入所述管式加熱裝置中進行所述與空氣持續(xù)接觸的恒溫加熱刻蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述與空氣持續(xù)接觸的恒溫加熱刻蝕包括：將所述帶有黑砷納米片的第二基底放置于所述管式加熱裝置的加熱區(qū)，在加熱過程中保持該管式加熱裝置的入口與出口開放，實現(xiàn)空氣的流通。
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