[發(fā)明專(zhuān)利]改性鈣硼鑭玻璃粉體、生瓷帶、介電常數(shù)可控的LTCC基板、封裝材料及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210174872.4
• 申請(qǐng)日: 2022-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114394768A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂子彬;海韻;郭恩霞;曹禹;徐博;呂金玉;韓濱;祖成奎
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)建筑材料科學(xué)研究總院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C03C23/00
• 分類(lèi)號(hào): C03C23/00;C03C12/00;C04B35/10;H01L21/48
• 代理公司: 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 霍紅艷;劉鐵生

1.一種改性鈣硼鑭玻璃粉體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1將表面改性劑、水、無(wú)水乙醇和酸堿調(diào)節(jié)劑混合，得到pH值為1-5的第一混合液，將第一混合液進(jìn)行攪拌，得到溶解后的表面改性劑溶液；

S2將鈣硼鑭玻璃粉體、步驟S1得到的溶解后的表面改性劑溶液、水、無(wú)水乙醇和酸堿調(diào)節(jié)劑混合，得到pH值為3-6的第二混合液，將第二混合液進(jìn)行攪拌改性，然后超聲清洗、干燥和篩分，得到所述改性鈣硼鑭玻璃粉體。

2.如權(quán)利要求1所述的改性鈣硼鑭玻璃粉體的制備方法，其特征在于，步驟S1中，其中所述水占所述第一混合液的質(zhì)量百分比為25-45wt％；所述無(wú)水乙醇占所述第一混合液的質(zhì)量百分比為55-75wt％；所述酸堿調(diào)節(jié)劑占所述第一混合液的質(zhì)量百分比為0.5-4wt％；和/或所述表面改性劑選自硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸脂偶聯(lián)劑、硬脂酸以及聚乙二醇中的至少一種；所述酸堿調(diào)節(jié)劑選自2-羥基丁二酸、乙酸、草酸和冰醋酸中的至少一種；和/或所述第一混合液攪拌方式為磁力攪拌，攪拌時(shí)間為1-4小時(shí)，攪拌溫度為25-60℃。

3.如權(quán)利要求1所述的改性鈣硼鑭玻璃粉體的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述表面改性劑與鈣硼鑭玻璃粉體的質(zhì)量比為0.5-10wt％；所述鈣硼鑭玻璃粉體占所述第二混合液的質(zhì)量百分比為15-35wt％；所述步驟S1中得到的溶解后表面改性劑溶液占所述第二混合液的質(zhì)量百分比為35-55wt％；所述水占所述第二混合液的質(zhì)量百分比為10-30wt％；所述無(wú)水乙醇占所述第二混合液的質(zhì)量百分比為10-30wt％；和/或所述酸堿調(diào)節(jié)劑占所述第二混合液的質(zhì)量百分比為0.5-4wt％；所述鈣硼鑭玻璃粉體的粒徑為1.3-2.4微米；和/或所述混合液攪拌方式為機(jī)械攪拌，攪拌時(shí)間為6-10小時(shí)，攪拌溫度為25-60℃；和/或所述干燥溫度為80-120℃；所述超聲清洗3-5次。

4.一種改性鈣硼鑭玻璃粉體，其特征在于，所述改性鈣硼鑭玻璃粉體在乙酸乙酯中的48h沉降比H/H₀為0.43-0.57；所述改性鈣硼鑭玻璃粉體在pH＝6的酸性環(huán)境下的Zeta電位為14.5-24.7；所述改性鈣硼鑭玻璃粉體在850℃的空氣氛圍下的熱損失為0.74-1.76％；所述改性鈣硼鑭玻璃粉體的粒徑為1.2-2.0微米；所述改性鈣硼鑭玻璃粉體通過(guò)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法制得。

5.一種生瓷帶的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，將權(quán)利要求4所述的改性鈣硼鑭玻璃粉體、有機(jī)載體和陶瓷粉體球磨混合，得到陶瓷漿料；

步驟二，將陶瓷漿料進(jìn)行流延成型，得到所述生瓷帶。

6.如權(quán)利要求5所述的生瓷帶的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述改性鈣硼鑭玻璃粉體占所述陶瓷漿料質(zhì)量的15-40wt％；所述有機(jī)載體占所述陶瓷漿料質(zhì)量的15-40wt％；所述陶瓷粉體占所述陶瓷漿料質(zhì)量的30-50wt％。

7.如權(quán)利要求5所述的生瓷帶的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述有機(jī)載體選自聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸乙酯溶液和聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸丁酯溶液中的至少一種；所述陶瓷粉體選自α-氧化鋁、β-氧化鋁和γ-氧化鋁中的至少一種；和/或所述球磨轉(zhuǎn)速為60-120r/min，球磨混合時(shí)間為48-60小時(shí)；步驟二中，所述流延成型速度為0.6-1m/min。

8.一種生瓷帶，其特征在于，所述生瓷帶通過(guò)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得。

9.一種介電常數(shù)可控的LTCC基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將權(quán)利要求8所述的生瓷帶進(jìn)行裁切、熱壓疊層和燒結(jié)，得到所述LTCC基板。

10.如權(quán)利要求9所述的介電常數(shù)可控的LTCC基板的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為850-895℃，燒結(jié)時(shí)間為24-36h。