[發明專利]發光器件及其制備方法、顯示基板和顯示裝置在審
| 申請號： | 202210174355.7 | 申請日： | 2022-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN114551743A | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發明（設計）人： | 袁德 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 魏艷新;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 及其 制備 方法 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種發光器件，其特征在于，包括：
位于襯底基板上，且依次層疊的第一電極、空穴傳輸層、發光層、插入層、空穴阻擋層、電子傳輸層和第二電極；
其中，所述插入層的材料的LUMO能級比所述空穴阻擋層的材料的LUMO能級低，以使所述插入層在所述發光器件的電流密度小于預設電流密度時，至少阻擋部分電子。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，
所述插入層的材料的LUMO能級比所述空穴阻擋層的材料的LUMO能級低0.3～0.4eV。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，
所述插入層的厚度為3～10nm。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層位于所述第一空穴傳輸層遠離所述第一電極的一側，且所述第二空穴傳輸層的厚度小于所述第一空穴傳輸層的厚度；
所述第一空穴傳輸層與所述第二空穴傳輸層的空穴遷移率不同。
5.根據權利要求1-4任一項所述的發光器件，其特征在于，所述發光層為紅色發光層、綠色發光層、藍色發光層中的其中一種。
6.一種發光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供襯底基板；
在所述襯底基板上形成依次層疊的第一電極、空穴傳輸層、發光層、插入層、空穴阻擋層、電子傳輸層和第二電極；
其中，所述插入層的材料的LUMO能級比所述空穴阻擋層的材料的LUMO能級低，以使所述插入層在所述發光器件的電流密度小于預設電流密度時，至少阻擋部分電子。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述插入層的材料的LUMO能級，比所述空穴阻擋層的材料的LUMO能級低0.3～0.4eV。
8.一種顯示基板，其特征在于，包括：多個子像素單元，至少一個子像素單元包括權利要求1～5任一項所述的發光器件。
9.根據權利要求8所述的顯示基板，其特征在于，所述發光器件的空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層位于所述第一空穴傳輸層遠離所述第一電極的一側，且所述第二空穴傳輸層的厚度小于所述第一空穴傳輸層的厚度；
每個所述子像素單元均包括權利要求1～5中任一項所述的發光器件，所述多個子像素單元中的多個發光器件的顏色包括多種，不同顏色的發光器件的第一空穴傳輸層的空穴遷移率和厚度均相等。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8或9所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
