[發(fā)明專利]Micro-LED微顯示芯片及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210173192.0 | 申請日: | 2022-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN114784034A | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 仉旭;莊永漳 | 申請(專利權(quán))人: | 鐳昱光電科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 趙世發(fā) |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | micro led 顯示 芯片 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種Micro?LED微顯示芯片及其制作方法。所述Micro?LED微顯示芯片包括:基板,所述基板的表面具有多個凸起部,每一凸起部頂端設(shè)置有一個觸點,所述觸點與所述基板所包含的驅(qū)動電路電連接;LED外延層,設(shè)置在所述基板上,所述LED外延層具有陣列排布的多個LED單元,所述觸點對應(yīng)設(shè)置在相鄰兩個LED單元之間的區(qū)域,每一LED單元與一觸點連接并被驅(qū)動,且每一所述LED單元能夠獨立的被驅(qū)動。本發(fā)明實施例提供的一種Micro?LED微顯示芯片在將LED單元與觸點進(jìn)行電連接時,需刻蝕除去的鍵合層更薄,進(jìn)而降低了工藝難度,以及,將刻蝕過程對器件的損傷降低至最小。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明特別涉及一種Micro-LED微顯示芯片及其制作方法,屬于微顯示技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
近年來,LED已經(jīng)在照明應(yīng)用中變得流行。作為光源,LED具有許多優(yōu)點,包括更高的光效率、更低的能耗、更長的使用壽命、更小的尺寸以及更快的開關(guān)速度。
具有微型尺寸LED的顯示器被稱為微型LED(micro-LEDs)。微型LED顯示器具有形成單個像素元件的微型LED陣列。像素可以是顯示屏上的微小照明區(qū)域,可以由許多像素構(gòu)成圖像。換句話說,像素可以是小的離散元素,它們一起構(gòu)成顯示器上的圖像。像素通常以二維 (2D)矩陣排列,并使用點、正方形、矩形或其他形狀表示。像素可以是顯示器或數(shù)字圖像的基本單元,并具有幾何坐標(biāo)。
微顯示領(lǐng)域的顯示器件多被用于產(chǎn)生高亮度的微縮顯示圖像,通過光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行投影從而被觀察者感知,投影目標(biāo)可以是視網(wǎng)膜(虛像),或者投影幕布(實相)。可應(yīng)用于AR(增強(qiáng)現(xiàn)實)、VR(虛擬現(xiàn)實)、HUD(汽車抬頭顯示)等各個方面。新興技術(shù)主要是Micro-LED,具有高亮度、反應(yīng)快、高色域、高PPI、低能耗等優(yōu)勢。
現(xiàn)有技術(shù)中的Micro-LED通常的制作流程是:首先形成Micro-LED單個器件或者陣列,然后將Micro-LED器件或者陣列批量轉(zhuǎn)移至電路基板(例如,TFT板或COMS板等)上,最后進(jìn)行封裝。然而,由于Micro-LED尺寸小,定位精度要求高,如何高效率、高成品率的將Micro- LED芯片批量轉(zhuǎn)移到電路基板上,成為將Micro-LED應(yīng)用于微型顯示技術(shù)領(lǐng)域急需突破的技術(shù)瓶頸。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種單片集成的Micro-LED微顯示芯片及其制作方法,以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,有利于進(jìn)一步擴(kuò)大Micro-LED在微顯示領(lǐng)域的產(chǎn)品應(yīng)用。
為實現(xiàn)前述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
本發(fā)明實施例提供了一種Micro-LED微顯示芯片,包括:
基板,其表面具有陣列排布的多個凸起部,每一凸起部頂端設(shè)置有一個觸點,所述觸點與所述基板所包含的驅(qū)動電路電連接;
LED外延層,設(shè)置在所述基板上,所述LED外延層包括依次疊層設(shè)置在所述基板上的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層,所述LED外延層具有陣列排布的多個LED 單元;
鍵合層,設(shè)置于所述LED外延層與所述基板之間,所述鍵合層與所述第一摻雜型半導(dǎo)體層電連接,所述鍵合層覆蓋所述凸起部并暴露所述觸點;
所述凸起部位于相鄰兩個LED單元之間,每一LED單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層與一凸起部上的觸點電連接,使每一所述LED單元能夠獨立的被驅(qū)動。
在一些較為具體的實施方式中,所述基板的表面具有第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域至少環(huán)繞所述第二區(qū)域設(shè)置,所述凸起部設(shè)置在所述第二區(qū)域,且位于所述LED外延層與第一區(qū)域之間的鍵合層厚度不小于所述凸起部的高度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





