[發(fā)明專利]一種太陽能電池、光伏組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210172054.0
• 申請(qǐng)日: 2021-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN114551606A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瞿佳華;金井升;張臨安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶科能源（海寧）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 范旋鋒

本申請(qǐng)涉及一種太陽能電池、光伏組件，所述太陽能電池包括N型半導(dǎo)體襯底，所述N型半導(dǎo)體襯底具有相對(duì)的前表面和后表面；所述N型半導(dǎo)體襯底的前表面上硼擴(kuò)散層，所述硼擴(kuò)散層的表面設(shè)有第一鈍化層，所述第一鈍化層的表面設(shè)有第一電極；所述N型半導(dǎo)體襯底的后表面設(shè)有摻磷多晶硅層，所述N型半導(dǎo)體襯底后表面與摻磷多晶硅層之間設(shè)有含有氮元素和磷元素的氧化硅層，所述摻磷多晶硅層的表面設(shè)有第二鈍化層，第二鈍化層的表面設(shè)有第二電極。本申請(qǐng)通過在電池后表面的N型半導(dǎo)體襯底與摻磷多晶硅層設(shè)置一層含有氮元素和磷元素的氧化硅層，提高電池后表面隧穿能力的同時(shí)，提高電池后表面鈍化效果，從而提升電池的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種太陽能電池、光伏組件。

背景技術(shù)

Topcon電池依靠“隧穿效應(yīng)”實(shí)現(xiàn)后表面鈍化，現(xiàn)有的Topcon電池后表面結(jié)構(gòu)從內(nèi)向外依次為半導(dǎo)體襯底，隧穿氧化層，摻磷多晶硅層，后表面鈍化層，由于隧穿氧化層的材質(zhì)為二氧化硅，二氧化硅對(duì)硅表面的懸掛鍵和缺陷進(jìn)行了有效的鈍化，對(duì)電池的開路電壓有著明顯的幫助和提升，從而提高電池轉(zhuǎn)化效率。但是，由于二氧化硅層厚度太薄，薄膜質(zhì)量得不到有效的保證，會(huì)在膜層中存在較多缺陷和孔隙，這樣會(huì)導(dǎo)致最終電池出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，而且還會(huì)使得太陽能電池后表面載流子的復(fù)合程度大幅度降低，若采取增加二氧化硅膜層厚度的措施來解決漏電電流的問題，過厚的二氧化硅膜層會(huì)嚴(yán)重阻礙電子的遷移，隧穿效應(yīng)隨之降低，增大了電池的串聯(lián)電阻，電池的填充因子和電流會(huì)受到影響而降低；同時(shí)由于二氧化硅自身的結(jié)構(gòu)特性，在電池組件的使用過程中，一些離子半徑較小的離子進(jìn)入到其中會(huì)破壞鈍化效果，尤其是Na離子的存在，會(huì)對(duì)電池的使用壽命產(chǎn)生一定的影響。

因此，有必要研究一種提升電池背鈍化效果的同時(shí)還具有較強(qiáng)的隧穿效應(yīng)的太陽能電池。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N太陽能電池、光伏組件，該太陽能電池具有優(yōu)良的背鈍化效果的同時(shí)還具有較強(qiáng)的隧穿效應(yīng)。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

N型半導(dǎo)體襯底，所述N型半導(dǎo)體襯底具有相對(duì)的前表面和后表面；

所述N型半導(dǎo)體襯底的前表面上設(shè)有硼擴(kuò)散層，所述硼擴(kuò)散層表面設(shè)有第一鈍化層，穿過所述第一鈍化層與所述N型半導(dǎo)體襯底形成電連接的第一電極；

所述N型半導(dǎo)體襯底的后表面設(shè)有摻磷多晶硅層，所述N型半導(dǎo)體襯底后表面與摻磷多晶硅層之間設(shè)有含有氮元素和磷元素的氧化硅層，所述摻磷多晶硅層的表面設(shè)有第二鈍化層，穿過所述第二鈍化層與所述摻磷多晶硅層形成電連接的第二電極。

結(jié)合第一方面，所述含有氮元素和磷元素的氧化硅層為單層氧化層結(jié)構(gòu)。

結(jié)合第一方面，所述氧化硅層為多層氧化層結(jié)構(gòu)，所述多層氧化層結(jié)構(gòu)包括第一氧化子層、第二氧化子層和第三氧化子層，其中，所述第一氧化子層為氮摻雜氧化硅層、所述第二氧化子層的材質(zhì)為二氧化硅層，所述第三氧化子層為磷摻雜氧化硅層。

結(jié)合第一方面，所述第一氧化子層、第二氧化子層和第三氧化子層中的至少一層中含有Al元素和/或Ta元素。

結(jié)合第一方面，所述氧化硅層的總厚度小于等于

結(jié)合第一方面，所述摻磷多晶硅層的摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3～1×10²¹cm^-3。

結(jié)合第一方面，所述第一鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅和氧化鋁中的至少一種。

結(jié)合第一方面，所述第二鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅和氧化鋁中的至少一種。

結(jié)合第一方面，所述第一電極為銀電極或銀/鋁電極，和/或所述第二電極為銀電極。