[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法、檢測(cè)系統(tǒng)、可讀介質(zhì)及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210171942.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114512174A | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楚西坤;劉東;第五天昊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/12 | 分類號(hào): | G11C29/12 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 檢測(cè) 方法 系統(tǒng) 可讀 介質(zhì) 電子設(shè)備 | ||
本公開提供了一種存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法、檢測(cè)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)及電子設(shè)備,該檢測(cè)方法包括:向多條所述第一位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第一電壓,向多條第二位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第二電壓,所述第一位線與所述第二位線交替設(shè)置,第一電壓大于第二電壓;第二電壓為零電壓或負(fù)電壓;經(jīng)過加長(zhǎng)的預(yù)設(shè)暫停時(shí)間使所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行漏電后,讀取所述第一位線或所述第二位線的連接所述存儲(chǔ)單元,并判斷各所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果是否等于其寫入的所述第一電壓或所述第二電壓;若所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果不等于其寫入的所述第一電壓或所述第二電壓,則判斷所述存儲(chǔ)器存在同軸字線雙位元電容漏電。能夠提前判斷出存儲(chǔ)器是否存在同軸字線雙位元電容漏電。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法、存儲(chǔ)器的檢測(cè)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可以包括晶體管和電容器,晶體管用作數(shù)據(jù)向存儲(chǔ)單元的流動(dòng)以及數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)單元的流動(dòng)的門控,電容器用于以電荷的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
由于DRAM的結(jié)構(gòu)過于精細(xì),量產(chǎn)工藝復(fù)雜繁瑣,在DRAM的電容工藝制程中,形成電容器的電容柱體之間容易相互傾斜,導(dǎo)致臨近的電容單元容易產(chǎn)生故障。
需要說明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開實(shí)施例的目的在于提供一種存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法、存儲(chǔ)器的檢測(cè)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)及電子設(shè)備,能夠提前判斷出存儲(chǔ)器是否存在同軸字線雙位元電容漏電。
根據(jù)本公開實(shí)施例的一個(gè)方面,提供了一種存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法,用于測(cè)試待測(cè)存儲(chǔ)器,所述檢測(cè)方法包括:
向多條第一位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第一電壓,向多條第二位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第二電壓,所述第一位線與所述第二位線交替設(shè)置,所述第一電壓大于所述第二電壓;所述第二電壓為零電壓或負(fù)電壓;
經(jīng)過加長(zhǎng)的預(yù)設(shè)暫停時(shí)間使所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行漏電后,讀取所述第一位線或所述第二位線連接的所述存儲(chǔ)單元,并判斷各所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果是否等于其寫入的所述第一電壓或所述第二電壓;
若所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果不等于其寫入的所述第一電壓或所述第二電壓,則判斷所述存儲(chǔ)器存在同軸字線雙位元電容漏電。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,向多條所述第一位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第一電壓,包括:
控制連接感應(yīng)放大器的目標(biāo)電荷泵開啟以生成第一電壓,控制連接所述第一電壓和所述感應(yīng)放大器的目標(biāo)開關(guān)元件開啟,以對(duì)所述感應(yīng)放大器輸入所述第一電壓;
通過所述感應(yīng)放大器向多條所述第一位線連接的所述存儲(chǔ)單元中寫入所述第一電壓。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述第一電壓高于待檢測(cè)存儲(chǔ)器的電源電壓。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,向多條所述第一位線連接的存儲(chǔ)單元寫入第二電壓,包括:
控制連接感應(yīng)放大器的目標(biāo)電荷泵開啟以生成第二電壓,控制連接所述第二電壓和所述感應(yīng)放大器的目標(biāo)開關(guān)元件開啟,以對(duì)所述感應(yīng)放大器輸入所述第二電壓;
通過所述感應(yīng)放大器向多條所述第二位線連接的所述存儲(chǔ)單元中寫入所述第二電壓。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,讀取所述第一位線或所述第二位線連接的所述存儲(chǔ)單元,并判斷各所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果是否等于其寫入的所述第一電壓或所述第二電壓,包括:
讀取所述第二位線連接的所述存儲(chǔ)單元,并判斷各所述存儲(chǔ)單元的讀取結(jié)果是否等于其寫入的所述第二電壓。
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