[發明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 202210171718.1
• 申請日: 2022-02-24
• 公開（公告）號: CN114428426A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 謝少朋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王紅紅

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個子像素單元；其中，每一所述子像素單元包括：

公共電極，由透明材料構成；以及

像素電極，設置于所述公共電極的一側，所述公共電極和所述像素電極構成所述陣列基板的存儲電容；

其中，在所述陣列基板的俯視圖方向上，所述像素電極在所述公共電極上的正投影位于所述公共電極內。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，相鄰兩個所述子像素單元內的公共電極連續且電連接。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每一個所述子像素單元包括柵極層和設置于所述柵極層上的源漏極層；

其中，所述公共電極與所述柵極層以及所述源漏極層異層設置。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

有機絕緣層，設置于所述源漏極層上；

所述公共電極，設置于所述有機絕緣層上；

鈍化層，設置于所述公共電極上；

所述像素電極，設置于所述鈍化層上；

其中，所述鈍化層的介電常數大于所述有機絕緣層的介電常數。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層的材料為氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一種，所述有機絕緣層的材料為丙烯酸樹脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一種。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述有機絕緣層的厚度與所述鈍化層的厚度的比值大于或者等于2。

7.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極以及所述像素電極的材料均包括氧化銦錫、氧化銦、二氧化錫、氧化鋅、氧化鉻以及氧化銦鋅中的至少一種。

8.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

柵極絕緣層，設置于襯底上并覆蓋所述柵極層；

有源層，設置于所述柵極絕緣層上且與所述柵極層對應設置；以及

所述源漏極層，設置于所述柵極絕緣層上且與所述有源層電性連接。

9.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

遮光層，設置于襯底上；

緩沖層，設置于所述襯底上并覆蓋所述遮光層；

有源層，設置于所述緩沖層上；

柵極絕緣層，設置于所述有源層上；

柵極層，設置所述柵極絕緣層上；

層間絕緣層，設置于所述緩沖層上且完全覆蓋所述有源層、所述柵極絕緣層以及所述柵極層；以及

所述源漏極層，設置于所述層間絕緣層上。

10.一種顯示面板，包括陣列基板、對置基板以及設置在所述陣列基板與所述對置基板之間的液晶層，其特征在于，所述陣列基板包括多個子像素單元，每一所述子像素單元包括：

公共電極，由透明材料構成；以及

像素電極，設置于所述公共電極的一側，所述公共電極和所述像素電極構成所述陣列基板的存儲電容；

其中，在所述陣列基板的俯視圖方向上，所述像素電極在所述公共電極上的正投影位于所述公共電極內。