[發明專利]發光基板、發光裝置及車輛在審
| 申請號: | 202210169761.4 | 申請日: | 2022-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN114551550A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 米紅玉;劉亮亮;馬玲玲;高樂;段思慧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15;H01L51/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 張翠蓬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 車輛 | ||
本公開提供了一種發光基板、發光裝置及車輛。其中,發光基板包括發光器件,發光器件包括層疊設置的第一電極、發光層和第二電極。發光基板包括:襯底基板;設置在襯底基板一側的第一導電層和第二導電層,第一導電層包括第一電極和電極引線,第一電極與電極引線相互連接,第二導電層包括第一電極信號線;其中,第一電極與第一電極信號線分立設置在襯底基板的表面,電極引線與第一電極信號線直接接觸連接。通過設置電極引線與第一電極信號線直接接觸連接,而不是過孔連接,可以改善暗點不良。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域,特別是涉及一種發光基板、發光裝置及車輛。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自發光、廣視角、反應時間快、發光效率高、工作電壓低及制程簡單等優點,被譽為下一代“明星”發光器件。
發明內容
本公開提供了一種發光基板,包括發光器件,所述發光器件包括層疊設置的第一電極、發光層和第二電極;所述發光基板包括:
襯底基板;
設置在所述襯底基板一側的第一導電層和第二導電層,所述第一導電層包括所述第一電極和電極引線,所述第一電極與所述電極引線相互連接,所述第二導電層包括第一電極信號線;
其中,所述第一電極與所述第一電極信號線分立設置在所述襯底基板的表面,所述電極引線與所述第一電極信號線直接接觸連接。
在一種可選的實現方式中,所述第一導電層和所述第二導電層分別位于不同的膜層,所述電極引線與所述第一電極信號線相互搭接。
在一種可選的實現方式中,所述第一電極信號線包括第一搭接部,所述第一搭接部至少部分覆蓋在所述電極引線背離所述襯底基板的一側表面。
在一種可選的實現方式中,所述第一電極信號線包括第二搭接部,所述電極引線至少部分覆蓋所述第二搭接部背離所述襯底基板的一側表面。
在一種可選的實現方式中,所述第一導電層的材料包括金屬氧化物,所述第二導電層的材料包括金屬。
在一種可選的實現方式中,所述第一導電層與所述第二導電層位于同一膜層且為一體結構。
在一種可選的實現方式中,所述電極引線為至少部分環繞所述第一電極的條形結構。
在一種可選的實現方式中,所述條形結構的一端連接所述第一電極,另一端與所述第一電極信號線直接接觸連接。
在一種可選的實現方式中,在所述襯底基板所在的平面內、沿所述條形結構環繞所述第一電極的法線方向上,所述條形結構的寬度大于或等于5微米,且小于或等于10微米。
在一種可選的實現方式中,所述發光基板還包括:
像素界定層,設置在所述第一導電層和所述第二導電層背離所述襯底基板的一側,用于限定出開口區域;
其中,所述發光層和所述第二電極設置在所述像素界定層背離所述襯底基板的一側,所述發光層位于所述第一電極與所述第二電極之間;所述發光層和所述第一電極分別在所述襯底基板上的正投影均覆蓋所述開口區域在所述襯底基板上的正投影,所述電極引線和所述第一電極信號線分別在所述襯底基板上的正投影均位于所述像素界定層在所述襯底基板上的正投影范圍內。
在一種可選的實現方式中,所述發光基板包括多個所述發光器件;相互連接的所述第一電極和所述電極引線構成電極單元,所述第一導電層包括多個分立設置所述電極單元,各所述電極單元中的第一電極位于不同的發光器件中。
在一種可選的實現方式中,所述發光基板包括多個所述發光器件,多個所述發光器件的發光顏色相同。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





