[發明專利]一種教學用CMOS反相器模具

在審

• 申請號: 202210162655.3
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114495680A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 盧靜;劉睿強;陳方毅;馮筱佳;瞿豪;余志林;馬心沂
• 申請（專利權）人: 重慶電子工程職業學院
• 主分類號: G09B25/00
• 分類號: G09B25/00
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217
• 代理人: 趙玉乾

本發明涉及教具制備技術領域，尤其是一種教學用CMOS反相器模具，包括模型建立模塊和模型打印模塊；所述模型建立模塊包括參數生成模塊、模型組裝模塊和參數調整模塊；所述參數生成模塊，用于生成若干模具部件的模具參數；所述模型組裝模塊，用于根據所述參數生成模塊生成的模具參數，對模具部件進行組裝，并生成組裝效果示意圖；所述參數調整模塊，用于根據所述組裝效果示意圖，調整所述參數生成模塊生成的模具參數，并生成調整后的模具參數；所述模型打印模塊，用于根據調整后的模具參數，打印模具部件。采用本方案，能夠對CMOS反相器的結構進行清晰的呈現，便于掌握CMOS反相器的結構，提升學習興趣及學習效率。

技術領域

本發明涉及教具制備技術領域，特別涉及一種教學用CMOS反相器模具。

背景技術

反相器可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路應用在模擬電路，比如說音頻放大，時鐘振蕩器等。在集成電路設計中，經常要用到反相器。CMOS反相器是所有數字集成電路設計的核心器件，它具有較大的噪聲容限、極高的輸入電阻、極低的靜態功耗以及對噪聲和干擾不敏感等優點，因此廣泛應用于數字集成電路中。CMOS反相器的制造工藝是集成電路專業學生需要掌握的技能點，現有的集成電路教學過程中，通常是通過PPT進行教學講解，學生無法直觀了解和查看CMOS反相器的結構和制造工藝。因此，亟需提供一種CMOS反相器模具，便于學生對CMOS反相器的結構進行掌握，提升學生的學習興趣和學習效率。

發明內容

本發明提供了一種教學用CMOS反相器模具，能夠對CMOS反相器的結構進行清晰的呈現，便于掌握CMOS反相器的結構，提升學習興趣及學習效率。

本發明提供的基礎方案：

一種教學用CMOS反相器模具，包括模型建立模塊和模型打印模塊；

所述模型建立模塊包括參數生成模塊、模型組裝模塊和參數調整模塊；

所述參數生成模塊，用于生成若干模具部件的模具參數；

所述模型組裝模塊，用于根據所述參數生成模塊生成的模具參數，對模具部件進行組裝，并生成組裝效果示意圖；

所述參數調整模塊，用于根據所述組裝效果示意圖，調整所述參數生成模塊生成的模具參數，并生成調整后的模具參數；

所述模型打印模塊，用于根據調整后的模具參數，打印模具部件。

本發明的原理及優點在于：設置模具部件的模具參數，并根據生成的模具參數對模具部件進行組裝，并生成組裝效果示意圖，從而可以通過生成的組裝效果示意圖查看各模具部件組裝后的效果，查看模具參數是否恰當，便于在打印模具部件前對模具部件的模具參數做出調整，避免打印結束后才發現各模具部件存在比例不當、形狀有誤等問題，節省了打印成本，提高了模具制作效率。通過打印出來的模具部件，可以讓學生更加直觀、清楚的了解到各模具部件，對CMOS反相器的結構進行清晰的呈現，便于學生掌握CMOS反相器的結構，提升學習興趣及學習效率。

進一步，所述模具部件包括P型襯底、N型肼結構、N+注入區、N型漏極電極、N型源極電極和N型柵極區。

有益效果：P型襯底、N型肼結構、N+注入區、N型漏極電極、N型源極電極和N型柵極區構成一個N型MOS管。

進一步，所述模具部件還包括P型肼結構、P+注入區、P型漏極電極、P型源極電極和P型柵極區。

有益效果：P型襯底、P型肼結構、P+注入區、P型漏極電極、P型源極電極和P型柵極區構成一個P型MOS管。

進一步，所述N型漏極電極與P型漏極電極連接；所述N型柵極區與P型柵極區連接。