[發(fā)明專利]寬光譜干涉顯微測量方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210160959.6 | 申請日: | 2022-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN114608472A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張為國;孫艷林;熊欣;鄧曉洲;杜春雷 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海邁時光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01B11/24 | 分類號: | G01B11/24;G01B11/06 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 張志輝 |
| 地址: | 519000 廣東省珠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光譜 干涉 顯微 測量方法 裝置 電子設(shè)備 介質(zhì) | ||
1.一種寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,包括:
獲取待測樣品的干涉圖;
確定所述干涉圖的調(diào)制度,通過所述調(diào)制度標(biāo)識所述干涉圖的第一區(qū)域,所述第一區(qū)域用于表征符合設(shè)定閾值的相位展開區(qū)域;
對所述第一區(qū)域執(zhí)行相位展開,得到所述干涉圖多個焦面的真實相位圖;
對多個所述焦面的所述真實相位圖相位拼接,得到所述干涉圖的相位分布;
根據(jù)所述相位分布確定所述待測樣品的表面高度分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,所述確定所述干涉圖的調(diào)制度,通過所述調(diào)制度標(biāo)識所述干涉圖的第一區(qū)域,包括:
獲取所述干涉圖的像素;
對所述干涉圖的每個像素執(zhí)行調(diào)制度計算,其計算方式為
其中M(x,y)表示所述像素的調(diào)制度,(x,y)表示所述像素的位置,其中N為相移測量的步數(shù),n=1,2,…,N,In(x,y)為第n幀所述干涉圖的灰度值;
根據(jù)所述設(shè)定閾值,將所述調(diào)制度大于等于所述設(shè)定閾值的所述第一區(qū)域作為所述相位展開區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,所述對所述第一區(qū)域執(zhí)行相位展開,得到所述干涉圖多個焦面的真實相位圖,包括:
通過菱形相位展開算法對所述第一區(qū)域執(zhí)行相位展開,所述菱形相位展開算法通過以所述第一區(qū)域任意所述像素作為種子像元,以所述種子像元作為中心向相鄰四個所述像素執(zhí)行解包裹,以擴(kuò)散方式執(zhí)行解包裹直至完成所述第一區(qū)域所有所述像素的相位展開,得到多個焦面的真實相位圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,所述對多個所述焦面的所述真實相位圖相位拼接,得到所述干涉圖的相位分布,包括:
構(gòu)建第一焦面R1和第二焦面R2的標(biāo)志矩陣Pv1和Pv2,所述第一焦面和所述第二焦面重合區(qū)域為R12,計算重合區(qū)域的相位值均差Δφ12
其中,°為Hardmar積,N12為重合區(qū)域像素數(shù),根據(jù)重合區(qū)域的相位值均差Δφ12,對不同位置相位分布圖執(zhí)行拼接,拼接公式φstitch(x,y)為
將所有位置的焦面中的所述第一區(qū)域展開相位拼接完后,得到所述相位分布;
其中φ(x,y)為所述像素(x,y)的相位差。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,所述方法還包括:
構(gòu)建標(biāo)志矩陣用于表征所述第一區(qū)域及第二區(qū)域,所述標(biāo)志矩陣為
Pv(x,y)為所述標(biāo)志矩陣在所述像素(x,y)的取值,其中M(x,y)為調(diào)制度,km為所述設(shè)定閾值,標(biāo)志為1的區(qū)域為所述第一區(qū)域,標(biāo)志為0的區(qū)域為所述第二區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的寬光譜干涉顯微測量方法,其特征在于,所述根據(jù)所述相位分布確定所述待測樣品的表面高度分布,包括:
將所述相位分布減去最小二乘法擬合的平面,進(jìn)而通過
計算得到所述待測樣品的表面高度分布;
其中,λ0為寬光譜白光光源中心波長,h(x,y)為所述像素(x,y)表面高度分布,φ(x,y)為所述像素(x,y)的相位差。
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