[發(fā)明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210160928.0
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114999909A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 本田拓巳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理方法，包括以下工序：

調(diào)配工序，通過向磷酸水溶液中添加用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制劑來調(diào)配磷酸處理液；

蝕刻處理工序，將具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在貯存有所述磷酸處理液的處理槽中來對所述基板進行蝕刻處理；以及

濃度上升工序，在通過所述磷酸處理液被進行了蝕刻處理的所述基板的張數(shù)達到第一閾值的情況下、或者所述磷酸處理液中的硅濃度達到第二閾值的情況下，向所述處理槽內(nèi)的所述磷酸處理液追加投入所述析出抑制劑來使所述磷酸處理液中的所述析出抑制劑的濃度上升，

其中，在進行使所述析出抑制劑的濃度上升的所述濃度上升工序之后，在所述蝕刻處理工序中，將新的基板浸在貯存有使所述析出抑制劑的濃度上升后的所述磷酸處理液的所述處理槽中來對所述新的基板進行蝕刻處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

還包括排出工序，該排出工序為在被進行了所述蝕刻處理的所述基板的張數(shù)達到比所述第一閾值高的第三閾值的情況下、或者所述磷酸處理液中的硅濃度達到比所述第二閾值高的第四閾值的情況下，從所述處理槽中排出全部的所述磷酸處理液。

3.根據(jù)權利要求2所述的基板處理方法，其特征在于，

在從進行所述調(diào)配工序起到進行所述排出工序為止的期間，將使所述析出抑制劑的濃度上升的所述濃度上升工序進行兩次以上。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，

使所述析出抑制劑的濃度上升的所述濃度上升工序包括以下工序：

追加投入工序，向所述處理槽內(nèi)的所述磷酸處理液中追加投入所述析出抑制劑；以及

循環(huán)工序，使用設置于所述處理槽的循環(huán)路徑來使所述析出抑制劑與所述磷酸處理液一同循環(huán)。

5.根據(jù)權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

所述處理槽具有：

內(nèi)槽，其在上部具有開口部，用于貯存所述磷酸處理液；以及

外槽，其配置于所述內(nèi)槽的外側，用于接受從所述開口部流出的所述磷酸處理液，

其中，在所述內(nèi)槽設置有向所述內(nèi)槽的內(nèi)部噴出氣體的氣體噴出部，

在追加投入所述析出抑制劑的所述追加投入工序中，向所述內(nèi)槽供給所述析出抑制劑。

6.根據(jù)權利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，

在追加投入所述析出抑制劑的所述追加投入工序中，從比所述內(nèi)槽中的所述磷酸處理液的液面高的位置向所述液面滴下所述析出抑制劑。

7.根據(jù)權利要求1、2、5、6中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在從一次所述蝕刻處理結束起至下一次所述蝕刻處理開始為止的期間，進行使所述析出抑制劑的濃度上升的所述濃度上升工序。

8.一種基板處理裝置，具備：

處理槽；

調(diào)配部，其通過向磷酸水溶液中添加用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制劑來調(diào)配磷酸處理液；

投入部，其向所述處理槽投入所述析出抑制劑；以及

控制部，其執(zhí)行以下工序：調(diào)配工序，控制所述調(diào)配部來調(diào)配所述磷酸處理液；蝕刻處理工序，將具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在貯存有所述磷酸處理液的所述處理槽中來對所述基板進行蝕刻處理；以及濃度上升工序，在通過所述磷酸處理液被進行了蝕刻處理的所述基板的張數(shù)達到第一閾值的情況下、或者所述磷酸處理液中的硅濃度達到第二閾值的情況下，控制所述析出抑制劑，向所述處理槽內(nèi)的所述磷酸處理液中追加投入所述析出抑制劑來使所述磷酸處理液中的所述析出抑制劑的濃度上升，

其中，在進行使所述析出抑制劑的濃度上升的所述濃度上升工序之后，在所述蝕刻處理工序中，將新的基板浸在貯存有使所述析出抑制劑的濃度上升后的所述磷酸處理液的所述處理槽中來對所述新的基板進行蝕刻處理。