[發明專利]形成磷硅酸鹽玻璃層的方法及其結構和系統

在審

• 申請號: 202210160169.8
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114959634A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 李承泫
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種形成磷硅酸鹽玻璃層的方法，該方法包括以下步驟：

在反應室內提供襯底；

形成覆蓋襯底的含硅層；以及

沉積覆蓋襯底的含磷層，

其中，沉積含磷層的步驟包括將含磷前體流到反應室，

其中，沉積含硅層和沉積含磷層的步驟用于形成沉積的磷硅酸鹽玻璃層，并且

其中，沉積的含磷層包括P₂O₃。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在沉積所述含磷層的步驟中，附加氧化劑不流到反應室。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，重復形成所述含硅層和沉積所述含磷層的步驟，以形成沉積的磷硅酸鹽玻璃層。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，形成所述含硅層的步驟包括CVD、ALD、PECVD、PEALD中的一種或多種。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，形成所述含硅層的步驟包括將選自由BDEAS、DIPAS構成的組的硅前體流到反應室。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中，在形成所述含硅層的步驟期間，附加氧化劑不流到反應室。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中，形成所述含硅層的步驟包括將所述硅前體暴露于惰性氣體等離子體。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，將所述硅前體流到反應室的步驟和將所述硅前體暴露于惰性氣體等離子體的步驟不重疊。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的方法，其中，沉積所述含磷層的步驟還包括將所述含磷前體暴露于惰性氣體等離子體。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，將所述含磷前體流到反應室的步驟和將所述含磷前體暴露于惰性氣體等離子體的步驟不重疊。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的方法，其中，將所述含磷前體流到反應室的步驟包括將TMPI、TEPO、TMPO中的一種或多種流到反應室。

12.根據權利要求1-11中任一項所述的方法，其中，沉積所述含磷層的步驟包括CVD、ALD、PEALD、PECVD中的一種或多種。

13.根據權利要求7-12中任一項所述的方法，其中，使用選自氬氣、氦氣、氮氣中的一種或多種的惰性氣體形成所述惰性氣體等離子體。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在形成所述含硅層和沉積所述含磷層的步驟期間，向反應室連續提供所述惰性氣體。

15.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中，沉積的含磷層的熔化溫度小于500℃、小于250℃、小于50℃或小于30℃。

16.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，還包括以下步驟：在非氧化環境中加熱所述襯底，以使沉積的磷硅酸鹽玻璃層流動，從而形成流動的磷硅酸鹽玻璃層。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，加熱步驟期間的溫度小于或等于500℃，或小于400℃，或小于300℃。

18.根據權利要求16或17所述的方法，還包括氧化流動的磷硅酸鹽玻璃層的步驟。