[發明專利]一種PSS圖形化襯底刻蝕方法

在審

• 申請號: 202210159425.1
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114744081A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 閆士波;丁建峰;張洋洋;王剛;潘曉忠;姚志炎
• 申請（專利權）人: 徐州美興光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331
• 代理人: 張入文

本發明公開了一種PSS圖形化襯底刻蝕方法，涉及等離子技術領域；為了解決刻蝕高度小以及底寬大且側邊弧度大的問題，包括如下步驟：襯底清洗；襯底制作，準備襯底，并在襯底上制作所需圖形掩膜；刻蝕，刻蝕結束，取出工件，所述步驟三中，步驟切換點為：使用SEM進行裂片檢測，其光刻膠剩余量為0.3?0.4μm時切換。本發明首先采用雙電極布置，每個刻蝕步驟中上下電極功率不同，并且在主刻蝕步驟中采用低功率、長時間的形式，能夠提高選擇比，累積足夠的高度和寬度；過刻蝕步驟中采用高功率、短時間的刻蝕形式，能夠修飾圖形側壁弧度并控制底寬的增大，從而實現最終的高高度、窄底寬、小側壁弧度與短工藝時間的顯著優點。

技術領域

本發明涉及等離子技術領域，尤其涉及一種PSS圖形化襯底刻蝕方法。

背景技術

隨著GaN基發光二極管(LightEmittingDiode，LED)技術的不斷進步，特別是藍光激發熒光粉發出黃光混合成白光技術的成熟，使得日常照明可以通過低成本、高壽命的方式實現。

由于GaN單晶制備比較困難，通常GaN基LED器件都是制備在藍寶石襯底上的。

經檢索，中國專利公開號為CN103887375B的專利，公開了一種PSS圖形化襯底刻蝕，提供襯底，并在襯底上制作具有所需圖形的掩膜；按照主刻蝕過程對襯底進行刻蝕；按照過刻蝕過程對襯底進行刻蝕；結束刻蝕；其中，所述主刻蝕過程包括N個刻蝕子過程，對于相鄰的兩個刻蝕子過程，后一個刻蝕子過程所采用的下電極射頻功率高于前一個刻蝕子過程所采用的下電極射頻功率，N為大于或等于3的整數。

上述專利存在以下不足：其刻蝕得到的光刻區域高度較小，且底寬較大，效果一般。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種PSS圖形化襯底刻蝕方法。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種PSS圖形化襯底刻蝕方法，包括如下步驟：

S1：襯底清洗；

S2：襯底制作，準備襯底，并在襯底上制作所需圖形掩膜；

S3：刻蝕，利用電極及氣體進行等離子刻蝕；

S4：刻蝕結束，取出工件。

優選地：所述S3步驟，包括以下子步驟：

S31：ME，主刻蝕步驟；

S32：OE，過刻蝕步驟。

優選地：所述S3步驟中，S31步驟與S32步驟切換點為：使用SEM進行裂片檢測，其光刻膠剩余量為0.3-0.4μm時切換。

優選地：所述S31步驟與S32步驟時間比為0.8±0.03：0.2±0.03，且所述S31步驟與S32步驟的時間之和小于或等于2350S。

優選地：所述S3步驟中，刻蝕采用上下兩電極式布置。

優選地：所述S31步驟中，上電極射頻功率為1.6-2.0KW，下電極射頻功率為0.3-0.5KW。

優選地：所述S32步驟中，上電極射頻功率為1.6-2.0KW，下電極射頻功率為0.7-0.9KW。

優選地：所述S31與S32步驟中，刻蝕氣體流量均為20-200sccm。

優選地：所述S31步驟中，擺閥開口大小為50％-55％，所述S32步驟中擺閥開口大于所述S31步驟。

本發明的有益效果為：