[發明專利]接合方法

在審

• 申請號: 202210156965.4
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN114664675A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 三原輝儀
• 申請（專利權）人: 馬瑞利株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

1.一種接合方法，其特征在于，包括：

氧離子傳導體層形成工序，在具有金屬的第一被接合材料和具有陶瓷的第二被接合材料中的一方的表面形成氧離子傳導體層；

配置工序，將所述第一被接合材料和所述第二被接合材料以兩者夾著所述氧離子傳導體層而接觸的方式配置；

連接工序，將所述第一被接合材料連接至電壓施加裝置的正極側和負極側中的一方，并且將所述第二被接合材料連接至電壓施加裝置的正極側和負極側中的另一方；以及

電壓施加工序，在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之間施加電壓而接合所述第一被接合材料和所述第二被接合材料，

所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中的一方在其表面具有金屬鍍層，所述金屬鍍層在其表面具有氧化物層，

在所述氧離子傳導體層形成工序中，所述氧離子傳導體層形成于所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中的另一方的表面，

在所述配置工序中，所述第一被接合材料和所述第二被接合材料被配置為兩者夾著所述氧化物層和所述氧離子傳導體層而接觸，

在所述連接工序中，在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中設置有所述金屬鍍層的一方連接至電壓施加裝置的負極側，另一方連接至正極側。

2.一種接合方法，其特征在于，包括：

氧離子傳導體層形成工序，在具有金屬的第一被接合材料和具有陶瓷的第二被接合材料中，在所述第一被接合材料的表面形成氧離子傳導體層，所述第二被接合材料在其表面具有金屬鍍層，所述金屬鍍層在其表面具有氧化物層；

配置工序，將所述第一被接合材料和所述第二被接合材料以兩者夾著所述金屬鍍層和所述氧離子傳導體層而接觸的方式配置；

連接工序，將所述第一被接合材料連接至電壓施加裝置的正極側，并且將所述第二被接合材料連接至電壓施加裝置的負極側；以及

電壓施加工序，在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之間施加電壓而接合所述第一被接合材料和所述第二被接合材料。

3.根據權利要求1或2所述的接合方法，其中，

所述電壓施加工序在所述陶瓷的電阻率ρ(Ω·cm)成為由下述的式(A)給出的值以下的溫度下進行，

[數1]

其中，q為基本電荷(1.6×10^-19(C))，d為所述陶瓷的厚度(cm)，Ns為所述氧離子傳導體的表面的原子的面密度(cm^-2)，V為在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之間施加的電壓(V)，t為接合時間(s)。