[發(fā)明專利]一種碳化硅和硅異質(zhì)結(jié)低功耗IGBT

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210156677.9
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114530489A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張新峰;黃宏嘉;帝瑪;陳善亮;楊祚寶;王霖;弓小武;袁嵩;龍安澤;曹金星;應(yīng)艷陽;杜陳;張函
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/739
• 代理公司: 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 孫騰

1.一種碳化硅和硅異質(zhì)結(jié)低功耗IGBT，其包括集電極結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述集電極結(jié)構(gòu)為多層結(jié)構(gòu)，其由底層至頂層依次為P+集電極、位于P+集電極上方的N+緩沖層B、位于N+緩沖層B上方的N+緩沖層A、位于N+緩沖層A上方的N漂移區(qū)、位于漂移區(qū)的上方的表面結(jié)構(gòu)；

所述P+集電極、N+緩沖層B均使用硅材料制成，所述N+緩沖層A、N漂移區(qū)、表面結(jié)構(gòu)均使用碳化硅材料制成；

所述表面結(jié)構(gòu)包括若干P型基區(qū)，所有P型基區(qū)均內(nèi)嵌設(shè)置在N漂移區(qū)頂部，相鄰P型基區(qū)之間形成一個JFET區(qū)，每個P型基區(qū)上均設(shè)置有兩個N+發(fā)射極區(qū)、一個P+發(fā)射極區(qū)，其中，N+發(fā)射極區(qū)靠近P型基區(qū)邊緣，P+發(fā)射極區(qū)2位于兩個N+發(fā)射極區(qū)之間，每個JFET區(qū)上方設(shè)置有柵極；所述表面結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在JFET區(qū)、柵極、N+發(fā)射極區(qū)、P+發(fā)射極區(qū)上方的頂部發(fā)射極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅和硅異質(zhì)結(jié)低功耗IGBT，其特征在于，所述P+發(fā)射極區(qū)為深擴(kuò)散，其深度小于P型基區(qū)。