[發明專利]存儲器電路系統和用于形成存儲器電路系統的方法在審
| 申請號： | 202210156672.6 | 申請日： | 2022-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN115547379A | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 楊廣軍 | 申請（專利權）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C8/08 | 分類號： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 電路 系統 用于 形成 方法 | ||
1.一種存儲器電路系統，其包括：
襯底，其包括晶體管，所述晶體管個別地包括：
一對源極/漏極區；
溝道區，其在所述一對源極/漏極區之間；以及
導電柵極，其以操作方式接近所述溝道區；
導體通孔，其個別地直接電耦合到所述一對源極/漏極區中的所述源極/漏極區中的一個，所述導體通孔在豎直橫截面中個別地包含具有從頂部到底部橫向向外變錐形的兩個側壁的豎直部分；
導電通孔，其個別地直接電耦合到所述一對源極/漏極區中的所述源極/漏極區中的另一個；
數字線，其沿著多個所述晶體管的線個別地直接電耦合到多個所述導電通孔；以及
存儲元件，其直接電耦合到所述導體通孔中的個別者。
2.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其中在所述豎直橫截面中，所述豎直部分小于所有相應導體通孔。
3.根據權利要求2所述的存儲器電路系統，其中所述豎直部分為一個豎直部分，所述導體通孔在所述豎直橫截面中個別地包含在所述一個豎直部分下方的另一豎直部分，所述另一豎直部分具有從頂部到底部橫向向外變錐形的一個側壁和不從頂部到底部橫向向外變錐形的另一側壁。
4.根據權利要求3所述的存儲器電路系統，其中所述另一側壁為豎直的。
5.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其中所述數字線在所述豎直橫截面中個別地具有從頂部到底部橫向向內變錐形的兩個側壁。
6.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其中所述導體通孔個別地包括：
下部導電摻雜的半導電材料，其直接電耦合到一個源極/漏極區；以及
上部金屬材料，其在所述下部導電摻雜的半導電材料正上方且直接電耦合到所述下部導電摻雜的半導電材料，所述上部金屬材料覆蓋所述下部導電摻雜的半導電材料的所有頂部表面。
7.根據權利要求6所述的存儲器電路系統，其中所述豎直部分為所述上部金屬材料。
8.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其中所述導體通孔個別地包括在所述數字線中的一個正下方的部分。
9.根據權利要求8所述的存儲器電路系統，其中在所述數字線中的一個正下方的所述部分在所述豎直橫截面中。
10.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其中所述存儲元件為電容器。
11.根據權利要求1所述的存儲器電路系統，其包括DRAM。
12.一種存儲器電路系統，其包括：
襯底，其包括晶體管，所述晶體管個別地包括：
一對源極/漏極區；
溝道區，其在所述一對源極/漏極區之間；以及
導電柵極，其以操作方式接近所述溝道區；
導體通孔，其個別地直接電耦合到所述一對源極/漏極區中的所述源極/漏極區中的一個；
導電通孔，其個別地直接電耦合到所述一對源極/漏極區中的所述源極/漏極區中的另一個；
數字線，其沿著多個所述晶體管的線個別地直接電耦合到多個所述導電通孔，所述數字線在豎直橫截面中個別地具有從頂部到底部橫向向外變錐形兩個側壁；以及
存儲元件，其直接電耦合到所述導體通孔中的個別者。
13.根據權利要求12所述的存儲器電路系統，其中所述導體通孔個別地包括：
下部導電摻雜的半導電材料，其直接電耦合到所述一個源極/漏極區；以及
上部金屬材料，其在所述下部導電摻雜的半導電材料正上方且直接電耦合到所述下部導電摻雜的半導電材料，所述上部金屬材料覆蓋所述下部導電摻雜的半導電材料的所有頂部表面。
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