[發(fā)明專利]一種半導體散熱結(jié)構及半導體芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210156523.X | 申請日： | 2022-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN114496951A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 汪紅梅;榮世立 | 申請（專利權）人： | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/427 | 分類號： | H01L23/427 |
| 代理公司： | 北京連和連知識產(chǎn)權代理有限公司 11278 | 代理人： | 朝魯蒙;陳黎明 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 散熱 結(jié)構 芯片 | ||
1.一種半導體散熱結(jié)構，其特征在于，包括：設置于所述半導體襯底內(nèi)部的密封管道，所述密封管道內(nèi)填充有吸熱材料，所述吸熱材料用于通過改變物質(zhì)狀態(tài)進行吸熱。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，所述吸熱材料包括：在大于等于第一溫度閾值時，由固態(tài)轉(zhuǎn)化為液態(tài)的吸熱材料。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，所述吸熱材料包括：在大于等于第二溫度閾值時，由液態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的吸熱材料。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，所述吸熱材料包括：在大于等于第二溫度閾值時，由液態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的吸熱材料。
5.根據(jù)權利要求3-4任意一項所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，所述密封管道具有足夠的使得所述吸熱材料進行固液轉(zhuǎn)化或氣液轉(zhuǎn)化的空間。
6.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，填充有所述吸熱材料的密封管道均勻的設置在所述半導體襯底的內(nèi)部。
7.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，填充有所述吸熱材料的密封管道集中設置在半導體產(chǎn)熱器件集中區(qū)域的襯底內(nèi)部。
8.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，還包括：貫穿所述半導體襯底的散熱孔道。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體散熱結(jié)構，其特征在于，所述散熱孔道內(nèi)部填充有導熱材料，并且填充有所述吸熱材料的密封管道與所述散熱孔道貫通連接。
10.一種半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片內(nèi)部具有如權利要求1-9任意一項所述的半導體散熱結(jié)構。
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