[發(fā)明專利]生成OPC測(cè)試圖形的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210154862.4
• 申請(qǐng)日: 2022-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN114647144A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李青;康萌;于世瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、建立基本可重復(fù)單元庫，所述基本可重復(fù)單元庫中包括了多個(gè)所需要的最小重復(fù)單元版圖；

步驟二、將最小重復(fù)單元版圖路徑，最小重復(fù)單元版圖名稱，OPC測(cè)試圖形的陣列塊間距，OPC測(cè)試圖形的重復(fù)周期輸入到腳本中；

步驟三、運(yùn)行腳本生成OPC測(cè)試圖形陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟一中，各所述最小重復(fù)單元版圖都設(shè)置為GDS格式，所述基本可重復(fù)單元庫為GDS文件。

3.如權(quán)利要求2所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟三中，所述OPC測(cè)試圖形陣列為GDS文件。

4.如權(quán)利要求2所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：所述最小重復(fù)單元版圖采用EDA軟件繪制。

5.如權(quán)利要求4所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟一中，在將所述最小重復(fù)單元版圖保存為GDS格式的同時(shí)設(shè)置格點(diǎn)精度。

6.如權(quán)利要求1所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟二中，所述腳本采用python語言編寫。

7.如權(quán)利要求1所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟三中，所述OPC測(cè)試圖形陣列中的各所述OPC測(cè)試圖形由對(duì)應(yīng)的所述最小重復(fù)單元版圖按照設(shè)定的重復(fù)周期排列而成。

8.如權(quán)利要求7所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：各所述OPC測(cè)試圖形的重復(fù)周期為對(duì)應(yīng)的所述最小重復(fù)單元版圖的線寬和間距和。

9.如權(quán)利要求8所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：采用相同的所述最小重復(fù)單元版圖形成的不同的所述OPC測(cè)試圖形之間的重復(fù)周期相同或者不同。

10.如權(quán)利要求1所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：步驟一中，所述基本可重復(fù)單元庫僅需在第一次生成OPC測(cè)試圖形時(shí)建立。

11.如權(quán)利要求10所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：當(dāng)?shù)诙我陨仙伤鯫PC測(cè)試圖形時(shí)，如果所述OPC測(cè)試圖形所需要的所述最小重復(fù)單元版圖都包括在所述基本可重復(fù)單元庫中，則省略步驟一。

12.如權(quán)利要求10所述的生成OPC測(cè)試圖形的方法，其特征在于：當(dāng)?shù)诙我陨仙伤鯫PC測(cè)試圖形時(shí)，如果所述OPC測(cè)試圖形所需要的所述最小重復(fù)單元版圖不包括在所述基本可重復(fù)單元庫中，則進(jìn)行步驟一對(duì)所述基本可重復(fù)單元庫進(jìn)行更新，更新時(shí)，將所述OPC測(cè)試圖形所需要的所述最小重復(fù)單元版圖添加到所述基本可重復(fù)單元庫中。