[發(fā)明專利]存儲芯片的測試方法及其裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210153533.8 | 申請日： | 2022-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN116665749A | 公開（公告）日： | 2023-08-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉東 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/12 | 分類號： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 石明;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 芯片 測試 方法 及其 裝置 | ||
本申請?zhí)峁┮环N存儲芯片的測試方法及其裝置，該方法包括：在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數(shù)據(jù)；從所述存儲單元中讀取存儲數(shù)據(jù)；根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)與所述存儲數(shù)據(jù)，生成所述待測存儲芯片的測試結(jié)果；其中，所述待測存儲芯片測試的字線開啟電壓大于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)位線字線開啟電壓，和/或，所述待測存儲芯片中測試的感測放大時間大于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)感測放大時間。本申請可以使得通過對比寫入數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)更有效檢測到漏電流的存在，也更有效檢測到所述待測存儲芯片中是否存在漏電流問題，以及有效檢測到哪些存儲單元和字線之間發(fā)生了電流泄漏。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及存儲器異常測試技術(shù)，尤其涉及一種存儲芯片的測試方法及其裝置。
背景技術(shù)
在存儲器，例如動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM)的生產(chǎn)中，經(jīng)常會因?yàn)镈RAM的存儲單元和字線之間發(fā)生電流泄露而導(dǎo)致存儲單元無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的有效存儲或完全失效，嚴(yán)重的，還可能導(dǎo)致其他存儲單元失效。因此，在DRAM的生產(chǎn)中，需要及時檢測哪些存儲單元和字線之間發(fā)生了電流泄露。
但是，現(xiàn)有方法無法有效檢測到漏電流的存在，因此如何有效檢測到哪些存儲單元和字線之間發(fā)生了電流泄露依然是亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N存儲芯片的測試方法及其裝置，用以提高漏電流導(dǎo)致的存儲單元異常的檢測效果。
在一些實(shí)施例中，本申請?zhí)峁┮环N存儲芯片的測試方法，所述方法包括：
在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數(shù)據(jù)；
從所述存儲單元中讀取存儲數(shù)據(jù)；
根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)與所述存儲數(shù)據(jù)，生成所述待測存儲芯片的測試結(jié)果；
其中，所述待測存儲芯片測試的字線開啟電壓大于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)位線字線開啟電壓，和/或，所述待測存儲芯片中測試的感測放大時間大于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)感測放大時間。
在一種可行的實(shí)施方式中，在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數(shù)據(jù)之后，在字線上施加測試的字線關(guān)閉電壓以及在測試的電容端施加電容下基板電壓；
其中，所述待測存儲芯片測試的字線關(guān)閉電壓小于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)位線字線關(guān)閉電壓；
所述待測存儲芯片測試的電容下基板電壓大于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)電容下基板電壓。
在一種可行的實(shí)施方式中，從所述存儲單元中讀取存儲數(shù)據(jù)之前，在字線上施加測試的字線關(guān)閉電壓以及在電容端施加電容下基板電壓；其中，所述待測存儲芯片測試的字線關(guān)閉電壓等于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)位線字線關(guān)閉電壓；
所述待測存儲芯片測試的電容下基板電壓等于所述待測存儲芯片的標(biāo)準(zhǔn)電容下基板電壓。
在一種可行的實(shí)施方式中，還包括：
在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數(shù)據(jù)之后到從所述存儲單元中讀取存儲數(shù)據(jù)之前設(shè)置保持時間。
在一種可行的實(shí)施方式中，寫入測試數(shù)據(jù)與讀取存儲數(shù)據(jù)為一個檢測周期，其中每一行存儲單元包括采用一個或者多個檢測周期。
在一種可行的實(shí)施方式中，在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數(shù)據(jù)通過遍歷訪問的形式進(jìn)行寫入，其中所述遍歷訪問的形式為以列形式寫入。
在一種可行的實(shí)施方式中，在待測存儲芯片的存儲單元中讀取測試數(shù)據(jù)通過遍歷訪問的形式進(jìn)行讀取，其中所述遍歷訪問的形式為以列形式讀取。
在一種可行的實(shí)施方式中，所述測試數(shù)據(jù)為具有相等數(shù)據(jù)位的二進(jìn)制序列，且所述測試數(shù)據(jù)具有不同的數(shù)據(jù)拓?fù)洹?/p>
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