[發明專利]晶閘管觸發信號光強度在線監測裝置及采用其的閥控系統有效
| 申請號: | 202210149207.X | 申請日: | 2022-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN114485927B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 邵珠柯;王宇丁;范彩云;韓坤;黃永瑞;陳同浩;胡秋玲;畢延河;張文博;朱帥;劉官;洪波;袁洪濤 | 申請(專利權)人: | 許繼集團有限公司;許繼電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G01J1/04 | 分類號: | G01J1/04;H02M1/06 |
| 代理公司: | 北京中創云知識產權代理事務所(普通合伙) 11837 | 代理人: | 梁洪峰 |
| 地址: | 461000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶閘管 觸發 信號 強度 在線 監測 裝置 采用 系統 | ||
1.一種晶閘管觸發信號光強度在線監測裝置,其特征在于,包括光接收及光強度監測模塊、邏輯處理模塊、回檢信號發射模塊、門極觸發信號放大模塊;其中,
所述光接收及光強度監測模塊用于接收晶閘管觸發信號,并生成觸發開關信號和回檢開關信號至所述邏輯處理模塊;
所述邏輯處理模塊用于對所述觸發開關信號的觸發邏輯進行處理,以輸出晶閘管門極觸發控制信號;還用于對所述回檢開關信號的回檢邏輯進行處理,以輸出回檢控制信號;
所述門極觸發信號放大模塊,用于將所述晶閘管門極觸發控制信號放大,生成晶閘管門極觸發電流以導通晶閘管;
所述回檢信號發射模塊用于根據所述回檢控制信號輸出回檢信號,閥控系統根據所述回檢信號判斷所述觸發信號的光強度等級。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述邏輯處理模塊接收到所述觸發開關信號,且接收到晶閘管正向電壓建立信號時,輸出晶閘管門極觸發控制信號,以導通晶閘管;所述邏輯處理模塊接收到所述回檢開關信號,向所述回檢信號發射模塊發送回檢控制信號,以控制所述回檢信號發射模塊發出回檢信號。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光接收及光強度監測模塊包括監測點電壓生成單元、電壓比較器和多個施密特觸發器;
所述監測點電壓生成單元,用于根據接收到的晶閘管觸發信號生成監測點電壓至所述電壓比較器的同相輸入端;所述監測點電壓分別經過多個施密特觸發器,輸出多個監測點輸出信號;
所述電壓比較器,根據所述監測點電壓輸出低電平觸發開關信號。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述回檢信號發射模塊包括多個單穩態多諧振蕩器和RC發射電路,所述多個單穩態多諧振蕩器與多個施密特觸發器一一對應;
所述多個監測點輸出信號分別與邏輯開關信號進行“與”邏輯運算后輸入至多個單穩態多諧振蕩器;
所述多個單穩態多諧振蕩器根據輸入信號的不同,輸出不同的高電平/低電平信號組合;
所述RC發射電路根據多個單穩態多諧振蕩器輸出的電平信號,生成并發射不同脈寬的回檢信號,所述不同脈寬與觸發信號的光強度等級相對應。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,所述多個施密特觸發器包括第一施密特觸發器、第二施密特觸發器和第三施密特觸發器;
所述施密特觸發器的輸入低電壓閾值由大到小順序為:T1>T2>T3;其中,T1、T2、T3分別為第一施密特觸發器、第二施密特觸發器和第三施密特觸發器的輸入低電壓閾值。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述RC發射電路包括第一電阻、第二電容、第三電容和第四電容;
所述第二電容、第三電容和第四電容的一端分別連接至第一施密特觸發器、第二施密特觸發器和第三施密特觸發器的輸出端;
所述第二電容、第三電容和第四電容的另一端均連接至所述第一電阻。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,當所述第一施密特觸發器、第二施密特觸發器和第三施密特觸發器的輸出均為高電平,RC發射電路發射的回檢信號的脈寬滿足:
WW1;
觸發信號光強度等級為正常;
其中,W為回檢信號的脈寬,W1為第一脈寬閾值。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,當所述第一施密特觸發器和第二施密特觸發器的輸出為高電平,第三施密特觸發器的輸出為低電平,RC發射電路發射的回檢信號的脈寬滿足:
W1≥WW2;
觸發信號光強度等級為一級告警;
其中,W2為第二脈寬閾值。
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