[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202210146803.2
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN115295490A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;曾健庭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L23/64
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

一基材，具有一第一側及一第二側，其中該半導體元件在該第一側上包含：

一主動區域，沿著一第一橫向方向延伸，且該主動區域包含一第一子區域及一第二子區域；

一第一柵極結構，沿著一第二橫向方向延伸，且該第一柵極結構設置在該主動區域上方，其中該第一子區域及該第二子區域設置在該第一柵極結構的相對側面上，其中該第二橫向方向垂直于該第一橫向方向；以及

一第一內連接結構，電性耦合至該第一柵極結構；

其中該半導體元件包含在該第二側上的一第二內連接結構，該第二內連接結構電性耦合至該第一子區域及該第二子區域，且該第二內連接結構是配置以提供一電源供應器；并且

其中該主動區域、該第一柵極結構、該第一內連接結構及該第二內連接結構是共同配置為一去耦電容器。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一子區域及該第二子區域的每一者包括n型摻質，且該電源供應器是VSS。

3.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一子區域及該第二子區域的每一者包括p型摻質，且該電源供應器是VDD。

4.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一內連接結構與該主動區域垂直地對準。

5.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該半導體元件還包含在該第一側上的一第二柵極結構，該第二柵極結構是沿著該第二橫向方向延伸，其中該主動區域的一第三子區域及一第四子區域設置在該第二柵極結構的相對側面上。

6.一種半導體元件，其特征在于，包含：

一基材，具有一第一側及一第二側，其中該半導體元件在該第一側上包含：

一第一主動區域，沿著一第一橫向方向延伸，且該第一主動區域包含一第一導電類型的摻質；

一第二主動區域，平行于該第一主動區域，且該第二主動區域包含一第二導電類型的摻質，其中該第二導電類型不同于該第一導電類型；

一第一柵極結構，沿著一第二橫向方向延伸，且該第一柵極結構環繞該第一主動區域的一部分，其中該第二橫向方向垂直于該第一橫向方向；

一第二柵極結構，沿著該第二橫向方向延伸，且該第二柵極結構環繞該第二主動區域的一部分；

一第一內連接結構，電性耦合至該第一柵極結構；以及

一第二內連接結構，電性耦合至該第二柵極結構，其中該半導體元件在該第二側上包含：

一第三內連接結構，電性耦合至該第一主動區域，且該第三內連接結構是配置以提供一第一電源供應器；以及

一第四內連接結構，電性耦合至該第二主動區域，且該第四內連接結構是配置以提供一第二電源供應器；

其中該第一主動區域、該第一柵極結構、該第一內連接結構及該第三內連接結構是共同配置為一第一去耦電容器；以及

其中該第二主動區域、該第二柵極結構、該第二內連接結構及該第四內連接結構是共同配置為一第二去耦電容器。

7.根據權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，該第一主動區域的該部分包括一或多個第一納米結構，該些第一納米結構是彼此垂直分離，且該第二主動區域的該部分包括一或多個第二納米結構，該些第二納米結構彼此垂直分離。

8.根據權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，該第一內連接結構、該第二內連接結構、該第三內連接結構及該第四內連接結構的每一者沿著該第一橫向方向延伸。

9.根據權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，該第一內連接結構及該第二內連接結構的每一者是沿著該第二橫向方向從該第一主動區域及該第二主動區域移位。

10.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成多個環繞式柵極(gate-all-around，GAA)晶體管在一基材的一前側上方，其中每一該些GAA晶體管中包括相應的一組納米結構、環繞該組納米結構的每一者的相應的一柵極結構及相應的一對源極/漏極結構；

形成一第一內連接結構在該前側上方，該第一內連接結構電性耦合至該些柵極結構；以及

形成一第二內連接結構在該基材的一后側上方，其中該后側是相對于該前側，且該第二內連接結構電性耦合至該些對源極/漏極結構；

其中該些GAA晶體管、該第一內連接結構及該第二內連接結構是共同配置為一去耦電容器。