[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202210146219.7
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN114388509A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 方曉培;林剛毅;王聰聰
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 尤彩紅

1.一種半導體結構，其特征在于，包括:

一襯底；

一第一介質層位于所述襯底上；

一第二介質層位于所述第一介質層上；以及

一互連結構，包括：

至少兩個水平延伸部分，位于所述第二介質層上；以及

一U型部分，穿過所述第二介質層以及部分所述第一介質層并且連接在所述兩個水平延伸部分的相鄰端部之間。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述兩個水平延伸部分以及所述U型部分為一體成型。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括一襯層設置在所述互連結構以及所述第一介質層和所述第二介質層之間。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括一第三介質層設置在所述第二介質層上并且填入所述U型部分的凹陷。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第三介質層的頂面與所述兩個水平延伸部分的頂面齊平。

6.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第三介質層在所述U型部分的所述凹陷中包圍住一氣隙。

7.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第三介質層的底面低于所述兩個水平延伸部分的底面。

8.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第三介質層與所述兩個水平延伸部分的側壁以及所述U型部分的頂面直接接觸。

9.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，從平面圖來看，所述兩個水平延伸部分的所述相鄰端部被所述第三介質層包圍。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，從平面圖來看，所述兩個水平延伸部分的所述相鄰端部之間的連線與所述兩個水平延伸部分的其中任一者的長度方向的延伸線不平行。

11.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括:

提供一襯底；

于所述襯底上形成一第一介質層；

于所述第一介質層上形成一第二介質層；

形成穿過所述第二介質層以及部分所述第一介質層的至少一第一開口；

形成一導電層于所述第二介質層上并填入所述第一開口；以及

對所述導電層進行一凹陷工藝以形成一互連結構，其中所述互連結構包括：

至少兩個水平延伸部分，位于所述第二介質層上；以及

一U型部分，穿過所述第二介質層以及部分所述第一介質層并且連接在所述兩個水平延伸部分的相鄰端部之間。

12.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述兩個水平延伸部分與所述U型部分為一體成型。

13.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，還包括：

沿著所述第二介質層的表面以及所述第一開口的側壁和底面形成一襯層；以及

在所述襯層上形成所述導電層。

14.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，還包括：

形成一第三介質層于所述第二介質層上：以及

移除部分所述第三介質層直到顯露出所述兩個水平延伸部分的頂面。

15.如權利要求14所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第三介質層的底面低于所述兩個水平延伸部分的底面。

16.如權利要求14所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第三介質層與所述兩個水平延伸部分的側壁及所述U型部分的頂面直接接觸。